[发明专利]溅射设备以及使用该溅射设备沉积薄膜的方法

说明书

技术领域

示例性实施例涉及溅射设备和使用该溅射设备的薄膜沉积方法。更具体而言，示例性实施例涉及具有不使用磁体的二极管溅射沉积源的溅射设备，并涉及使用该溅射设备的薄膜沉积方法。 

背景技术

常规溅射设备的沉积源通过在靶的下部设置磁性物质来控制磁场。磁性物质增加靠近靶表面的位置中的电荷密度来增加沉积效率，并且通过增加沉积到靶的粒子的能量来改进品质。然而，使用常规溅射设备的方法不适合用于双层沉积、单层沉积，或者以小于的沉积速率掺杂材料。 

在该背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对本发明背景技术的理解，因此其可能包含不构成在本国家对本领域普通技术人员为已知的现有技术的信息。 

发明内容

示例实施例致力于提供一种能有效地形成品质优良的薄膜的溅射设备。 

根据示例性实施例，溅射设备可包括：阴极部分，所述阴极部分包括联接到阴极主体的前表面的靶支撑部分，靶被安装在所述阴极主体的所述前表面上并由所述靶支撑部分支撑；阳极部分，所述阳极部分包括联接到阳极主体的阳极，所述阳极主体围绕所述阴极部分的侧部和底部，并且所述阳极覆盖所述靶支撑部分和所述靶的边缘；内绝缘体，所述内绝缘体位于所述阴极部分与所述阳极主体之间；电极绝缘体，所述电极绝缘体位于所述阳极与所述靶支撑部分和所述靶的所述边缘中的每一个之间；以及电源部分，所述电源部分连接到所述阴极部分和所述阳极部分。 

所述电极绝缘体的端部可比所述阳极的端部朝向所述靶的中心伸出得多。 

所述电极绝缘体的伸出长度可为大约1mm至大约3mm。 

所述电极绝缘体的伸出端部可包括朝向所述靶的所述中心形成的电连接防止槽。 

所述电极绝缘体的所述伸出端部可具有近似“C”的形状。 

所述电极绝缘体可具有大约1mm至大约5mm的厚度。 

所述阳极可包括远离所述靶弯曲的电极延伸部分。 

所述电极绝缘体可将所述靶与所述阳极完全分离。 

所述阳极可仅与所述电极绝缘体的上表面的第一部分重叠，所述电极绝缘体的所述上表面的第二部分与所述第一部分不同并被暴露。 

从所述阳极主体上的相同参考点测量的所述电极绝缘体的长度可比所述阳极的长度长。 

根据另一示例性实施例，薄膜沉积方法可包括：将靶安装在阴极部分上，使得所述靶位于所述阴极部分的阴极主体的前表面上，并且所述靶由联接到所述阴极主体的所述前表面的靶支撑部分支撑；将阳极部分布置在所述阴极部分上，使得阳极主体围绕所述阴极部分的侧部和底部，所述阳极部分的阳极覆盖所述靶支撑部分和所述靶的边缘，并且电极绝缘体被定位在所述阳极与所述靶支撑部分和所述靶的所述边缘中的每一个之间；以及通过电源部分向所述阴极部分和所述阳极部分施加电压而将沉积材料沉积到所述靶的暴露的中心部分。 

沉积所述沉积材料可包括沉积处于等离子体状态的材料。 

附图说明

图1为根据第一示例性实施例的溅射设备的剖视图。 

图2为根据第二示例性实施例的溅射设备的剖视图。 

图3为图2的电极绝缘体的放大的剖视图。 

图4为根据第三示例性实施例的溅射设备的剖视图。 

具体实施方式

在下面的详细描述中，通过例示的方式显示并描述某些示例性实施例。如本领域技术人员将要认识到，所描述的实施例可以各种不同的方式被修改，而全部不背离本发明构思的精神或范围。 

应该注意，附图为示意性的并且没有图示精确的尺寸。在附图中，为了清楚和方便，附图中元件的相对比例和比率在尺寸上可被夸大或缩小，并且这种任意比例仅为例示性的，而非以任何方式限制。相似的附图标记用于在两幅或更多附图中显示的相似结构、元件或部分，以显示类似的特征。当一个部分被认为在另一部分“上方”或“之上”时，该一个部分可直接在另一部分的上方，或者可伴随有介于它们之间的另外的部分。 

在下文中，将参照图1描述根据第一示例性实施例的溅射设备101。 

如图1所示，根据第一示例性实施例的溅射设备101包括阴极部分400、阳极部分300、内绝缘体510、电极绝缘体700和电源部分。