[发明专利]溅射设备以及使用该溅射设备沉积薄膜的方法

权利要求书

1.一种溅射设备，包括：

阴极部分，所述阴极部分包括联接到阴极主体的前表面的靶支撑部分，靶被安装在所述阴极主体的所述前表面上并由所述靶支撑部分支撑；

阳极部分，所述阳极部分包括联接到阳极主体的阳极，所述阳极主体围绕所述阴极部分的侧部和底部，并且所述阳极覆盖所述靶支撑部分和所述靶的边缘；

内绝缘体，所述内绝缘体位于所述阴极部分与所述阳极主体之间；

电极绝缘体，所述电极绝缘体位于所述阳极与所述靶支撑部分和所述靶的所述边缘中的每一个之间；以及

电源部分，所述电源部分连接到所述阴极部分和所述阳极部分。

2.如权利要求1所述的溅射设备，其中所述电极绝缘体的端部比所述阳极的端部朝向所述靶的中心伸出得多。

3.如权利要求2所述的溅射设备，其中所述电极绝缘体的伸出长度为1mm至3mm。

4.如权利要求2所述的溅射设备，其中所述电极绝缘体的伸出端部包括朝向所述靶的所述中心形成的电连接防止槽。

5.如权利要求4所述的溅射设备，其中所述电极绝缘体的所述伸出端部具有近似“C”的形状。

6.如权利要求1所述的溅射设备，其中所述电极绝缘体具有1mm至5mm的厚度。

7.如权利要求1所述的溅射设备，其中所述阳极包括远离所述靶弯曲的电极延伸部分。

8.如权利要求1所述的溅射设备，其中所述电极绝缘体将所述靶与所述阳极完全分离。

9.如权利要求1所述的溅射设备，其中所述阳极仅与所述电极绝缘体的上表面的第一部分重叠，所述电极绝缘体的所述上表面的第二部分与所述第一部分不同并被暴露。

10.如权利要求1所述的溅射设备，其中从所述阳极主体上的相同参考点测量的所述电极绝缘体的长度比所述阳极的长度长。

11.一种使用在阴极部分和阳极部分的阳极主体之间具有内绝缘体的溅射设备的薄膜沉积方法，所述方法包括：

将靶安装在所述阴极部分上，使得所述靶位于所述阴极部分的阴极主体的前表面上，并且所述靶由联接到所述阴极主体的所述前表面的靶支撑部分支撑；

将所述阳极部分布置在所述阴极部分上，使得所述阳极主体围绕所述阴极部分的侧部和底部，所述阳极部分的阳极覆盖所述靶支撑部分和所述靶的边缘，并且电极绝缘体被定位在所述阳极与所述靶支撑部分和所述靶的所述边缘中的每一个之间；以及

通过电源部分向所述阴极部分和所述阳极部分施加电压而将沉积材料沉积到所述靶的暴露的中心部分。

12.如权利要求11所述的薄膜沉积方法，其中沉积所述沉积材料包括沉积处于等离子体状态的材料。