[发明专利]有机发光显示装置在审
申请号: | 201310036615.5 | 申请日: | 2013-01-30 |
公开(公告)号: | CN103700684A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 崔贞美 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 齐葵;罗正云 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机发光显示装置,尤其涉及能够降低亮度偏差的有机发光显示装置。
背景技术
近来开发出多种显示装置,如液晶显示装置(Liquid Crystal Display)、有机发光显示装置(Organic Light Emitting Display)、电润湿显示装置(Electro Wetting Display Device)、等离子显示装置(Plasma Display Panel:PDP)及电泳显示装置(Electrophoretic Display Device)等。
显示装置中的有机发光显示装置是利用通过电子和空穴的再结合发光的有机发光二极管来显示图像的。这样的有机发光显示装置具有响应速度快、功耗低的优点。
通常,有机发光显示装置包括具有阳极、有机发光层及阴极的有机发光元件。有机发光元件通过从阳极和阴极分别注入空穴及电子形成激子(exciton),激子转移到基态的同时发光。有机发光层可通过喷墨印刷(Inkjet printing)或喷嘴印刷(Nozzle printing)等方法形成。
近年来需要一种能够降低有机发光显示装置的亮度偏差的技术。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够降低亮度偏差的有机发光显示装置。
本发明实施例的有机发光显示装置包括显示面板,所述显示面板包括:显示区域,包括用于显示图像的多个像素;及非显示区域,形成在所述显示区域的周边区域,并包括多个非像素,所述显示面板包括:基板,形成有所述像素及所述非像素;像素限定膜,形成在所述基板上,包括与所述像素及所述非像素对应的多个开口部;有机发光元件,形成在与所述像素对应的开口部中,响应对应的驱动电压而生成光;及有机层,形成在与所述非像素对应的开口部中,所述有机层不被施加所述驱动电压。
所述非显示区域进一步包括形成在所述基板上的保护膜,所述像素限定膜形成在所述保护膜上,所述有机层在与所述非像素对应的所述开口部内形成在所述保护膜上。
所述显示区域进一步包括,薄膜晶体管,形成在所述基板上,向所述像素的所述有机发光元件施加所述对应的驱动电压;及保护膜,形成在所述基板上以覆盖所述薄膜晶体管。
各所述薄膜晶体管通过贯通所述保护膜而形成的接触孔与所述有机发光元件相连。
各所述有机发光元件包括,第一电极,通过所述接触孔与所述薄膜晶体管相连;有机发光层,形成在所述第一电极上;及第二电极,形成在所述有机发光层上,所述第一电极通过所述开口部露出规定的区域。在所述开口部内所述有机发光层形成在所述第一电极上。
所述有机层及所述有机发光层由相同的物质同时形成。
所述像素限定膜由有机绝缘膜形成。
所述像素限定膜形成为由无机绝缘膜及有机绝缘膜构成的多层结构。
所述非像素的尺寸与所述像素的尺寸相同,所述非像素之间的间距与所述像素之间的间距相同。
所述非像素的尺寸与所述像素的尺寸相同,所述非像素之间的间距比像素之间的间距小,越远离所述显示区域的边界面,所述非像素之间的间距越小。
所述非像素的尺寸比所述像素的尺寸大,所述非像素之间的间距与所述像素之间的间距相同。
所述非像素的尺寸比所述像素的尺寸大,越远离所述显示区域的边界面,所述非像素的尺寸越大,所述非像素之间的间距比所述像素之间的间距小,越远离所述显示区域的边界面,所述非像素之间的间距越小。
本发明的有机发光显示装置能够降低亮度偏差。
附图说明
图1为本发明实施例的有机发光显示装置的示意性的俯视图。
图2为示出图1所示显示区域的像素的剖面结构的图。
图3为示出图1所示非显示区域的非像素的剖面结构的图。
图4a为在非显示区域未形成有非像素时,像素上部的空气状态示意图。
图4b为在非显示区域形成有非像素时,像素及非像素上部的空气状态示意图。
图5a至图5d为图1中的非像素的多种实施例的示意图。
具体实施方式
参照附图及后述的实施例能够清楚地了解本发明的优点和特征以及实现上述优点和特征的方法。但本发明不局限于下面公开的实施例,可以以不同的多种形态实现。本实施例只是为了完整地公开本发明,并向本发明所属技术领域中具有普通知识的技术人员完整地告知发明的范畴而提供的。本发明只通过权利要求书的保护范围来定义。在整个说明书中,相同的附图标记指示相同的结构要素。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的