[发明专利]具有半导体存储电路的半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及具有半导体存储电路的半导体装置，更详细地涉及能够在没有误动作的情况下容易地进行通常动作模式与测试模式的切换的模式切换电路。

背景技术

对现有的具备半导体存储电路的半导体装置的模式切换电路进行说明。图3是示出现有的模式切换电路的电路图。

现有的模式切换电路具备输入端子501、内部电路502、P型MOS晶体管503、504、N型MOS晶体管505和电压判定电路507。

内部电路502经由电阻506与输入端子501连接。内部电路502具有输入信号用的反相器，被提供电源电压Vcc(例如5V)。电压判定电路507与节点N1连接。P型MOS晶体管503和504以二极管的形式进行连接，并相互反向地连接在输入端子501与电源端子之间。N型MOS晶体管505以二极管的形式进行连接，并连接在输入端子501与接地端子之间。电压判定电路507具备用于检测输入端子501的电压的电压检测用反相器和将检测信号电平变换为电源电压Vcc的变换用反相器。电压检测用反相器的电源被输入节点N1的电压，输入端子被输入电源电压Vcc。变换用反相器的电源被输入电源电压Vcc，输入端子被输入电压检测用反相器的输出信号。电压判定电路507将检测信号输出至内部电路502。

现有的模式切换电路如以下这样地进行动作，从通常模式切换为测试模式(例如，参照专利文献1)。

当对输入端子501输入通常动作时的电压(例如0V～5V)的信号时，因为源极电压从0V变化到5V，所以电压判定电路507的P型MOS晶体管508截止，N型MOS晶体管509导通。因此，电压判定电路507向内部电路502输出高电平信号，从而内部电路502保持通常动作模式。

接着，当对输入端子501输入比通常动作时的电压高的电压(例如10V)时，因为源极电压成为10V，所以电压判定电路507的P型MOS晶体管508导通，N型MOS晶体管509截止。因此，电压判定电路507向内部电路502输出低电平信号，从而内部电路502切换为测试模式。

【专利文献1】日本特开2000-269428号公报

但是，在现有技术中，因为对在通常动作时使用的输入端子施加高电压，所以需要设置用于保护输入端子以及内部电路免受高电压影响的保护晶体管。另外，还需要设置用于判定向输入端子输入高电压的情况的电压判定电路。因此，存在模式切换电路的面积增加的问题。

另外，为了防止不慎进入测试模式，需要使得用于设定测试模式的高电压远远高于通常动作时的输入电压。但是，存在这样的问题：伴随着半导体集成电路中的元件的精细化或元件动作的高速化，导致具有保护功能的晶体管的耐压降低，从而难以确保考虑到电压判定电路偏差的充分裕度（margin）。

发明内容

本发明是鉴于上述课题而完成的，其提供具备半导体存储电路的半导体装置，其具有芯片面积小且能够在没有误动作的情况下切换为测试模式的模式切换电路。

本发明为了解决上述课题，采用如下结构：本发明的具有半导体存储电路的半导体装置具备追加以下电路的模式切换电路：数据比较电路，其检测向通信用的输入端子与用于通信以外的输入端子输入的串行信号彼此处于反转关系的情况；解码器电路，其检测串行信号是预定数据的情况，输出检测信号；控制信号产生电路，其产生控制信号；以及根据这些信号来输出切换为测试模式的信号的电路。

根据本发明，可在不增加芯片面积的情况下构成模式切换电路，该模式切换电路可在没有误动作的情况下切换为测试模式。

附图说明

图1是示出具有半导体存储电路的半导体装置的本实施方式的模式切换电路的电路图。

图2是示出本实施方式的模式切换电路的动作的时序图。

图3是示出现有的具备半导体存储电路的半导体装置的模式切换电路的电路图。

标号说明

100内部电路；120数据变换电路；121数据比较电路；130指令解码器电路；131、132解码器电路；133控制信号产生电路；141、142、143、144SR锁存电路。

具体实施方式

关于本发明的具有半导体存储电路的半导体装置的模式切换电路，对半导体装置具有的半导体存储电路的通信电路进行电路的变更以及追加，由此能够在不输入高电压的情况下切换模式。