[实用新型]具有单一角度台面造型的芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体芯片结构，具体是一种普通电力整流管芯片的台面结构。

背景技术

随着功率器件制造技术的进步，电力整流管朝着大电流、高电压的方向发展。为了提高器件的工作电压，就必须要同时提高电力整流管芯片的承载高电压的能力。

在现阶段的技术领域，业内通常采用的方法是沿着圆形芯片边缘一周，研磨出一定角度和宽度的锥形斜面或弧面（统称为芯片的台面），从而使芯片具有一定的击穿电压。而随着不同角度磨角器搭配研磨工艺新应用技术的出现，芯片边缘一周研磨成多角度台面造型，使电力整流管芯片具有了承载更高反向击穿电压的能力。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是：提供一种具有单一角度和一定宽度的芯片台面造型。这种结构从而使芯片具有一定的击穿电压，而通过不同角度磨角器搭配研磨成的芯片台面造型，使得电力整流管芯片具有承载更高反向击穿电压的能力。

本实用新型采用以下技术方案解决上述技术问题的：一种具有斜边缘角的芯片，圆片结构，所述芯片的其中一个表面的边缘为斜面，此斜面具有一定宽度和角度，斜面部分称为芯片的台面造型。

本实用新型进一步具体为：斜面各部分相对于水平面的倾斜角度均相同。

本实用新型进一步具体为：斜面各部分相对于水平面的倾斜角度为大于0度小于等于25度。

本实用新型的优点在于：将芯片的一面边缘磨成单一角度台面造型，操作简单方便，适用于电压要求不高的普通电力整流管芯片。

附图说明

图1是本实用新型，一种具有斜边缘角的芯片的截面图。

具体实施方式

请参阅图1所示，本实用新型是一种具有单一角度的台面造型的芯片，是圆片结构。芯片台面为芯片边缘一周具有一定角度和宽度的锥形斜面造型，内圆部分（除台面的剩余部分）为芯片的应接面积部分。

所述芯片1的其中一个表面（如图1中为上表面）的边缘为斜面12。且斜面12各部分相对于水平面的倾斜角度均相同，通常斜面12各部分相对于水平面的倾斜角度为大于0度小于等于25度。

在圆形芯片1的一个面的边缘上磨出一个锥形角度，从而使芯片具有一定的击穿电压。而通过不同角度磨角器搭配研磨成的芯片台面造型，使得电力整流管芯片具有承载更高反向击穿电压的能力。

现有的磨角方式都是采用手工磨角方式，即用手将芯片按压在磨角器上，磨角器由电机带动同步旋转，手工控制使硅片的边缘磨出需要的角度和宽度（即台面造型）。

以上所述仅为本发明创造的较佳实施例而已，并不用以限制本发明创造，凡在本发明创造的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明创造的保护范围之内。