[发明专利]氧化物薄膜晶体管、其制造的方法、具有其的显示器件及该显示器件的制造方法

权利要求书

1.一种氧化物薄膜晶体管，包括：

形成在基板上的栅极；

形成在包括栅极的基板的整个表面上的栅绝缘层；

在栅极上方，于栅绝缘层上形成且完全覆盖栅极的有源层图案；

形成在有源层图案和栅绝缘层上的蚀刻终止层图案，以及

在包括蚀刻终止层图案和有源层图案的栅绝缘层上形成且彼此间隔开并覆盖蚀刻终止层图案的两侧和下面的有源层图案的源极和漏极。

2.根据权利要求1的氧化物薄膜晶体管，其中栅极的线宽度大于有源层图案的线宽度。

3.根据权利要求1的氧化物薄膜晶体管，其中有源层图案的上部完全被蚀刻终止层图案、源极和漏极覆盖。

4.一种制造氧化物薄膜晶体管的方法，该方法包括：

在基板上形成栅极；

在包括栅极的基板的整个表面上形成栅绝缘层；

在栅极上方，于栅绝缘层上形成有源层图案，使得该有源层图案完全覆盖栅极；

在有源层图案和栅绝缘层上形成蚀刻终止层图案，以及

在包括蚀刻终止层图案和有源层图案的栅绝缘层上形成源极和漏极，使得所述源极和漏极覆盖蚀刻终止层图案的两侧和下面的有源层图案。

5.根据权利要求4的方法，其中栅极的线宽度大于有源层图案的线宽度。

6.根据权利要求4的方法，其中有源层图案的上部完全被蚀刻终止层图案、源极和漏极覆盖。

7.一种有机发光二极管显示器件，包括：

限定了非像素区和发光区的下基板；

形成在下基板的非像素区的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极；形成在包括栅极的下基板的整个表面上的栅绝缘层；在栅极上方，于栅绝缘层上形成且完全覆盖栅极的有源层图案；形成在有源层图案和栅绝缘层上的蚀刻终止层图案，以及在包括蚀刻终止层图案和有源层图案的栅绝缘层上形成且彼此间隔开并覆盖蚀刻终止层图案的两侧和下面的有源层图案的源极和漏极；

形成在包括薄膜晶体管的下基板的整个表面上的钝化层；

形成在下基板的发光区的钝化层上的多个滤色器层；

形成在下基板的非像素区的钝化层上的虚拟滤色器层；

形成在包括滤色器层以及虚拟滤色器层的下基板的整个表面上的有机绝缘层；

形成在有机绝缘层、虚拟滤色器层和钝化层上并暴露出薄膜晶体管的漏极的漏极接触孔；

形成在有机绝缘层上并通过漏极接触孔与漏极电连接的第一电极；

形成在下基板的非像素区的有机绝缘层上的堤岸层；

形成在包括第一电极的下基板的整个表面上的有机发光层；以及

与有机发光层的上部贴合的上基板，在上基板上形成有第二电极。

8.根据权利要求7的有机发光二极管显示器件，其中栅极的线宽度大于有源层图案的线宽度。

9.根据权利要求7的有机发光二极管显示器件，其中有源层图案的上部完全被蚀刻终止层图案、源极和漏极覆盖。

10.根据权利要求7的有机发光二极管显示器件，其中虚拟滤色器层图案由与滤色器层的滤色器材料相同的材料制成，或者具有不同滤色器材料堆叠的结构或者单层结构。