[发明专利]用以产生参考电流的参考单元电路以及方法

说明书

技术领域

本发明系关于一种参考单元电路，特别系关于一种包括复数具有紫外线阈值电压的浮栅晶体管的参考单元电路。

背景技术

可电性抹除以及编程的非易失性存储器(non-volatile memory device)系将电荷储存在浮栅晶体管(floating-gate transistor)中，以储存数据。浮栅晶体管具有一浮置栅极，电荷可藉由既定的方式注入(injected into)以及抽离(evacuates from)浮栅晶体管的浮置栅极，其中浮栅中的电荷会影响场效晶体管的阈值大小。举例而言，当电子注入浮栅时，所注入的电子会提高场效晶体管的阈值。

此外，非易失性存储器需要具有优异的数据保留(data retention)能力。随着制程技术的进步，非易失性存储器越来越难以实现优异的数据保留能力。有鉴于此，本发明提供一种装置和方法，以在制程技术的进步中，达成非易失性存储器对优异的数据保留能力的需求。

发明内容

本发明提供一种参考单元电路，适用于一非易失性存储器。参考单元电路包括一参考单元阵列、一第一电流镜电路以及一第二电流镜电路。参考单元阵列包括至少一列浮栅晶体管，用以产生一参考电流。第一电流镜电路用以根据上述参考单元阵列所产生的上述参考电流，产生一镜射电流。第二电流镜电路用以接收上述镜射电流，并根据上述镜射电流以及复数使能信号中之一被选取者，产生一已调整参考电流，其中上述使能信号分别相应于上述非易失性存储器的复数操作，并且上述已调整参考电流系用以决定上述非易失性存储器的复数存储器单元的逻辑状态。

本发明另提供一种用以产生参考电流的方法，适用于一参考单元电路。用以产生参考电流的方法包括藉由一参考单元阵列产生一参考电流，其中上述参考单元阵列包括至少一列浮栅晶体管；镜射上述参考电流，并藉以产生一镜射电流；以及根据复数使能信号中之一被选取者，镜射上述镜射电流，并藉以产生一已调整参考电流，其中每一上述使能信号分别相应于一非易失性存储器的复数操作，并且上述已调整参考电流系用以决定上述非易失性存储器的复数存储器单元的逻辑状态。

本发明所揭露的参考单元电路以及产生参考电流的方法，可提供已调整参考电流至存储器单元，并且缩小电路布局的面积，使得栅极在紫外线抹除阈值状态中不具有自由电子，参考单元电路具有较好的稳定性的数据保存能力。

附图说明

图1为本发明所提供的一参考单元电路的方块图；

图2为本发明所提供的另一参考单元电路的方块图；

图3为本发明所提供的一产生参考电流方法的流程图；以及

图4为本发明所提供的另一产生参考电流方法的流程图。

主要元件符号说明:

100、200～参考单元电路； 105～第一电流镜电路；

1051、1052、1082～P型晶体管；

1061、1063、1064、1084～N型晶体管；

1041-104N～感测晶体管； 102～参考单元阵列；

1021-102N～列；

1031-103N～浮栅晶体管； 106～第二电流镜电路；

10621-1062N～控制电路； 110～选择装置；

108～电流电压转换器； 1086～反相器；

VDD1、VDD2～电压； Varc～已调整参考电压；

GND～接地； Irc～参考电流；

Imc～镜射电流； I1-IN～支电流；

Iarc～已调整参考电流；REFWL～参考字元线；

YSEN～选择使能线；EN1-ENN～使能信号；

OUT～输出节点。

具体实施方式

以下将详细讨论本发明各种实施例的装置及使用方法。然而值得注意的是，本发明所提供的许多可行的发明概念可实施在各种特定范围中。这些特定实施例仅用于举例说明本发明的装置及使用方法，但非用于限定本发明的范围。

图1为本发明所提供的一参考单元电路的方块图，其中参考单元电路100适用于一非易失性存储器(未图示)，并且非易失性存储器具有复数存储器单元。参考单元电路100包括一参考单元阵列102，复数感测晶体管1041~104N，一第一电流镜电路(current mirrorcircuit)105，一第二电流镜电路106，以及一选择装置110。