[发明专利]半导体测试方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种半导体测试方法。

背景技术

在半导体制程中，有半导体测试这一步骤，半导体测试的目的是控制测试系统硬件以一定的方式保证被测器件达到或超越它的那些被具体定义在器件规格书里的设计指标。

Flash存储器作为一种常用器件，其也需要进行相应参数的检测，对于这种器件，其擦除电压（VEE）和编程电压（VEP）的测试方法包括：在计算器（register）中载入一组数据，例如可以是编程电压，通常可以为16个，位于计算器的16个档位中；并通过在该档位下的值时烧断存储器中相应的保险丝，来不断调整到合适的电压（该过程被称作trim），在此过程中需要用到精确测试单元（precision measure unit，PMU）来量测，接着采用相应的计算机预言编写相关程序，从16个测得的值中选取最接近目标值的一个测得的值作为最终结果。

在现有的测试方法中，采用PMU装置进行测试，然而，该方法包括多个测量时间段和在利用每一个档位测试之后进行转换的时间段，如此便使得每次测试的时间约在几百微秒的范围内，这个时间范围对测试而言，是比较长的，尤其是一组测量16次时，每个存储器的测试时间将达到几秒甚至十几秒。

发明内容

本发明的目的是提供一种半导体测试方法，改善现有的测试技术，缩短测试时间，从而提高测试效率。

为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体测试方法，利用测试机测试待测单元的电参数，设定多个预定值、一目标参数、第一基准和第二基准，所述目标参数小于所述第一基准且大于所述第二基准；

将一个预定值赋予待测单元，由测试机比较该预定值下待测单元的电参数与所述第一基准和第二基准的关系，若所述电参数在所述第一基准和第二基准之间，则认可该电参数并停止测试，否则继续获得另一个预定值进行测试和判断。

可选的，对于所述的半导体测试方法，所述电参数为写入电压或擦除电压。

可选的，对于所述的半导体测试方法，所述第一基准、所述目标参数及所述第二基准成等差数列。

可选的，对于所述的半导体测试方法，所述预定值和所述电参数最多为16个。

本发明提供的半导体测试方法，设定第一基准和第二基准，采用测试机比较待测单元在某一设定值下的电参数与所述第一基准和第二基准的关系，并由此判断是否合格，如此每次比较所耗时间将在纳秒级别，大大的缩短了单次测试时间，同时便避免了每次都需要进行16次测试，也不需采用编程语言进行选择，进一步的缩短了总的测试时间，同时使得测试操作变得更加简捷。

附图说明

图1为本发明一实施例的半导体测试方法的流程图；

图2为本发明一实施例的半导体测试方法的过程示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明半导体测试方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，本发明附图均采用非常简化的形式，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

请参考图1和图2，本发明实施例提供一种半导体测试方法，测试待测单元，例如存储器的电参数，所述电参数包括写入电压和擦除电压，首先，设定多个预定值、一目标参数、第一基准和第二基准，所述目标参数即目标电压的值，例如在某一存储器的擦除电压的测试中，目标电压的值为5Ｖ，所述第一基准VOH和第二基准VOL可以根据实际要求的不同，并结合生产经验进行设定，需要满足的是，所述目标参数需要小于所述第一基准VOH，且大于所述第二基准VOL，除非有特殊的要求，在一般情况下，所述第一基准VOH、所述目标参数及所述第二基准VOL成等差数列，其公差则为可接受的偏差，例如在该测试中，可接受偏差为0.1，则VOH为5+0.1=5.1，那么VOL为5-0.1＝4.9；