[发明专利]基于N型硅衬底背接触式HIT太阳电池结构和制备方法

权利要求书

1.一种基于N型硅衬底背接触式HIT太阳电池结构，其特征在于，其结构为：N型硅衬底受光面由内而外依次为受光面n型非晶或微晶硅层、减反射层；背光面由内而外依次为本征非晶或微晶硅层，p型非晶或微晶硅层和背光面n型非晶或微晶硅层之间有间隔且交替排列于本征非晶或微晶硅层上，p型非晶或微晶硅层和背光面n型非晶或微晶硅层上均覆盖有透明导电薄膜，金属电极位于透明导电薄膜上。

2.根据权利要求1所述基于N型硅衬底背接触式HIT太阳电池结构，其特征在于，本征非晶或微晶硅层、背光面p型非晶或微晶硅层、背光面n型非晶或微晶硅层、透明导电薄膜、受光面n型非晶或微晶硅、减反射层厚度范围为1~5000nm。

3.根据权利要求2所述基于N型硅衬底背接触式HIT太阳电池结构，其特征在于，p型非晶或微晶硅层、受光面n型非晶或微晶硅层、背光面n型非晶或微晶硅层、本征非晶或微晶硅层以及透明导电薄膜的厚度分别为12nm、12nm、12nm、10nm和15nm。

4.根据权利要求1所述基于N型硅衬底背接触式HIT太阳电池结构，其特征在于，p型非晶或微晶硅层和背光面n型非晶或微晶硅层的间隔为0.01~10000um。

5.根据权利要求4所述基于N型硅衬底背接触式HIT太阳电池结构，其特征在于，p型非晶或微晶硅层和背光面n型非晶或微晶硅层的间隔为20um。

6.一种如权利要求1-5任一所述基于N型硅衬底背接触式HIT太阳电池结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）在制绒后的N型硅衬底受光面沉积受光面n型非晶或微晶硅层；

（2）在背光面沉积本征非晶或微晶硅层；

（3）在受光面沉积减反射层；

（4）在背光面间隔进行p型非晶或微晶硅掺杂；

（5）在背光面的p型非晶或微晶硅掺杂之外的其他区域进行n型非晶或微晶硅掺杂；

（6）在背光面进行透明导电薄膜制备；

（7）在背光面的p型非晶或微晶硅掺杂与背光面n型非晶或微晶硅掺杂区之间进行镭射切割，使得p型非晶或微晶硅层与背光面n型非晶或微晶硅层分离开； 

（8）在背光面p型非晶或微晶硅层与背光面n型非晶或微晶硅层的透明导电膜上分别进行金属电极制备。

7.根据权利要求6所述制备方法，其特征在于，进行p型非晶或微晶硅掺杂，以及在背光面的p型非晶或微晶硅掺杂之外的其他区域进行n型非晶或微晶硅掺杂采用带掩膜版的离子注入法。