[发明专利]光刻方法

说明书

技术领域

本发明属于半导体、微细加工领域，尤其涉及一种光刻方法。

背景技术

半导体、微细加工技术制备的复杂程度随着器件结构的日益复杂，光刻工艺的步骤随之增加，多次光刻工艺的相互套刻不仅增加了器件加工的成本，同时也提升了器件加工的难度，同时对器件的良率也有所影响。

发明内容

鉴于上述现有技术存在的缺陷，本发明的目的是提出一种光刻方法，该方法可以通过一次光刻工艺，获得具有不同高度的光刻结构。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种光刻方法，用以获得具有不同高度的光刻结构，包括：

s1、设计光刻版图形，该光刻版图形包括多个相同的图形单元，所述多个图形单元阵列分布；

s2、根据所述的光刻版图形在待加工样品上形成一定厚度的光刻胶掩膜，所述待加工样品在第一区域裸露；

s3、对待加工样品进行等离子体轰击，对待加工样品在第一区域裸露的表面进行刻蚀或沉积，同时使得所述图形单元之间的光刻胶在第二区域脱落并露出待加工样品表面；

s4、在第一区域和第二区域对所述待加工样品进行刻蚀或沉积。

作为本发明的进一步改进，所述图形单元为圆形。

作为本发明的进一步改进，所述相邻图形单元之间的间距是所述图形单元直径的1~1.5倍，所述图形单元的直径大于30微米。

作为本发明的进一步改进，所述图形单元为正方形。

作为本发明的进一步改进，所述相邻图形单元之间的间距是所述图形单元边长的1~1.5倍，所述图形单元的边长大于30微米。

作为本发明的进一步改进，所述相邻图形单元的间距是所述图形单元尺寸的1~1.5倍。

作为本发明的进一步改进，所述光刻胶掩膜的厚度为1~2微米。

作为本发明的进一步改进，所述步骤s3中，所述等离子体轰击的反应温度为0~120℃。

作为本发明的进一步改进，所述步骤s3中，所述等离子体轰击的时间为5~10分钟。

与现有技术相比，本发明可在对待加工样品进行薄膜沉积或刻蚀的过程中实现对光刻胶的二次加工，通过一次光刻工艺，可以获得具有不同高度的光刻结构。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1所示为本发明具体实施例中光刻方法的流程图；

图2所示为本发明具体实施例中光刻板图形设计示意图；

图3所示为本发明具体实施例中利用图1中光刻版图形进行光刻的样品图。

具体实施方式

为适应半导体、微细加工工艺应用发展所需，为了降低光刻工艺复杂程度及减小制作成本。本发明提出了一种凭借等离子体轰击对已经形成图案的光刻胶进行二次加工的方法，以获得具有不同高度的光刻结构。

本发明的该种对已经形成图案的光刻胶进行二次加工的方法，特别适用于需要对初次形成光刻胶进行刻蚀或薄膜沉积后继续进行套刻的情况。周知地，该对光刻胶进行加工的工艺包括：s1、设计光刻版图形；s2、根据设计的光刻版图形在待加工样品上形成光刻胶掩膜；s3、在光刻胶掩膜下对待加工样品进行刻蚀或气相沉积，对未覆盖光刻胶的部分进行加工。在此基础上，本发明所述的加工方法是针对其中步骤s1及s3步骤提出改善措施，从而使得刻蚀或气相沉积时对已经形成图形的光刻胶同时进行二次加工。

参图1所示，本发明实施例公开了一种光刻方法，用以获得具有不同高度的光刻结构，包括：

s1、设计光刻版图形，该光刻版图形包括多个相同的图形单元，所述多个图形单元阵列分布；

s2、根据所述的光刻版图形在待加工样品上形成一定厚度的光刻胶掩膜，所述待加工样品在第一区域裸露；

s3、对待加工样品进行等离子体轰击，对待加工样品在第一区域裸露的表面进行刻蚀或沉积，同时使得所述图形单元之间的光刻胶在第二区域脱落并露出待加工样品表面；

s4、在第一区域和第二区域对所述待加工样品进行刻蚀或沉积。