[发明专利]光刻方法有效
| 申请号： | 201210492719.2 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN102981359A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 付思齐;时文华;刘彬;侯克玉;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 | ||
1.一种光刻方法，用以获得具有不同高度的光刻结构，其特征在于，包括：
s1、设计光刻版图形，该光刻版图形包括多个相同的图形单元，所述多个图形单元阵列分布；
s2、根据所述的光刻版图形在待加工样品上形成一定厚度的光刻胶掩膜，所述待加工样品在第一区域裸露；
s3、对待加工样品进行等离子体轰击，对待加工样品在第一区域裸露的表面进行刻蚀或沉积，同时使得所述图形单元之间的光刻胶在第二区域脱落并露出待加工样品表面；
s4、在第一区域和第二区域对所述待加工样品进行刻蚀或沉积。
2.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于：所述图形单元为圆形。
3.根据权利要求2所述的光刻方法，其特征在于：所述相邻图形单元之间的间距是所述图形单元直径的1~1.5倍，所述图形单元的直径大于30微米。
4.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于：所述图形单元为正方形。
5.根据权利要求4所述的光刻方法，其特征在于：所述相邻图形单元之间的间距是所述图形单元边长的1~1.5倍，所述图形单元的边长大于30微米。
6.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于：所述相邻图形单元的间距是所述图形单元尺寸的1~1.5倍。
7.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于：所述光刻胶掩膜的厚度为1~2微米。
8.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于：所述步骤s3中，所述等离子体轰击的反应温度为0~120℃。
9.根据权利要求8所述的光刻方法，其特征在于：所述步骤s3中，所述等离子体轰击的时间为5~10分钟。
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