[发明专利]有机发光显示器及其制作方法无效
申请号: | 201210483780.0 | 申请日: | 2012-11-23 |
公开(公告)号: | CN103839960A | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
发明(设计)人: | 林冠亨;沈仕旻;李孟庭 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 杨波 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示器 及其 制作方法 | ||
1.一种有机发光显示器,其特征在于,其包括:
基板,具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面,该基板具有多个像素区域,各该像素区域具有第一子像素区、第二子像素区以及第三子像素区;
阳极阵列层,设置于该基板的该第一表面上,并包括多个阳极,该多个阳极分位于各该像素区域的该第一子像素区、该第二子像素区及该第三子像素区;
共用空穴传输层,设置于该阳极阵列层上,并覆盖该阳极阵列层;
绿光发射有机阵列层,设置于该共用空穴传输层上,并包括多个绿光发射单元,各该绿光发射单元覆盖位于各该像素区域的该第一子像素区及第二子像素区的该共用空穴传输层,而露出位于各该像素区域的该第三子像素区的该共用空穴传输层;
共用蓝光发射有机层,设置于该绿光发射有机阵列层上,覆盖该绿光发射有机阵列层以及从该绿光发射有机阵列层露出的该共用空穴传输层;
电子传输阵列层,设置于该共用蓝光发射有机层上,并包括多个电子传输单元,该多个电子传输单元分别位于各该像素区域的该第一子像素区、该第二子像素区及该第三子像素区;
阴极阵列层,设置于该电子传输阵列层上,并包括多个阴极,该多个阴极分别位于该多个电子传输单元上;以及
红光转换介质阵列层,设置于该有机发光显示器的出光方向的一侧,并包括多个红光转换介质单元,该多个红光转换介质单元分别位于各该像素区域的该第一子像素区。
2.如权利要求1所述的有机发光显示器,其特征在于:该红光转换介质阵列层设置于该阴极阵列层上方,该多个红光转换介质单元分别设置于位于该第一子像素区的该多个阴极的上方,各该阳极包括设置于该基板的反射金属层及设置于该反射金属层上的透明导电层,且各该阴极为透明电极。
3.如权利要求2所述的有机发光显示器,其特征在于,该绿光发射有机阵列层包括第一绿光发射阵列层及位于该第一绿光发射阵列层上的第二绿光发射阵列层,该第一绿光发射阵列层包括多个第一绿光发射单元,各该第一绿光发射单元覆盖位于各该像素区域的该第一子像素区及第二子像素区的该共用空穴传输层,而露出位于各该像素区域的该第三子像素区的该共用空穴传输层,该第二绿光发射阵列层包括多个第二绿光发射单元,该多个第二绿光发射阵列单元分别位于该多个第一绿光发射单元上。
4.如权利要求2所述的有机发光显示器,其特征在于,还包括绿光空穴传输阵列层,设置于该共用空穴传输阵列层上,并包括多个绿光空穴传输单元,各该绿光空穴传输单元覆盖位于各该像素区域的该第一子像素区及第二子像素区的该共用空穴传输层,而露出位于该第三子像素区的该共用空穴传输层,该绿光发射有机阵列层的该多个绿光发射单元分别位于该多个绿光空穴传输单元上。
5.如权利要求1所述的有机发光显示器,其特征在于,该红光转换介质阵列层设置于该基板的该第二表面或设置于该基板内部,各该阳极为透明电极,且各该阴极为反射电极。
6.一种有机发光显示器的制作方法,其特征在于,其包括:
提供基板,该基板具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面,并具有多个像素区域,各该像素区域具有第一子像素区、第二子像素区以及第三子像素区;
在该基板的该第一表面上形成阳极阵列层,该阳极阵列层包括多个阳极,该多个阳极分位于各该像素区域的该第一子像素区、该第二子像素区及该第三子像素区;
在该阳极阵列层上形成共用空穴传输层,覆盖该阳极阵列层;
在该共用空穴传输层上形成绿光发射有机阵列层,该绿光发射有机阵列层包括多个绿光发射单元,各该绿光发射单元覆盖位于各该像素区域的该第一子像素区及第二子像素区的该共用空穴传输层,而露出位于各该像素区域的该第三子像素区的该共用空穴传输层;
在该绿光发射有机阵列层上形成共用蓝光发射有机层,并覆盖该绿光发射有机阵列层以及从该绿光发射有机阵列层露出的该共用空穴传输层;
在该共用蓝光发射有机层上形成电子传输阵列层,该电子传输阵列层包括多个电子传输单元,该多个电子传输单元分别位于各该像素区域的该第一子像素区、该第二子像素区及该第三子像素区;
在该电子传输阵列层上形成阴极阵列层,该阴极阵列层包括多个阴极,该多个阴极分别位于该多个电子传输单元上;以及
在该有机发光显示器的出光方向的一侧形成红光转换介质阵列层,该红光转换介质阵列层包括多个红光转换介质单元,该多个红光转换介质单元分别位于各该像素区域的该第一子像素区。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的