[发明专利]具有电感器的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

半导体芯片，该半导体芯片具有半导体衬底、互连层、以及第一导电焊盘，所述互连层包括位于所述半导体衬底上的电感器，所述第一导电焊盘设置于所述互连层上，

凸块，所述凸块位于所述第一焊盘上，以及

安装衬底，所述安装衬底具有导电的第二焊盘和位于所述第二焊盘的下面的第一互连，

其中，在所述第一焊盘的正下方设置有电路形成区域，所述电路形成区域具有电路元件和互连，并且所述第一焊盘设置在从平面视角来看与所述电感器不重叠的区域中，

其中，所述电感器设置在第一层中，该第一层设置于所述第一导电焊盘的下面，

其中，所述凸块设置在从平面视角来看与所述电感器不重叠的区域中，

其中，通过将所述凸块连接到所述第二焊盘，来将所述半导体芯片安装在所述安装衬底上，

其中，所述第二焊盘位于从平面视角来看与所述半导体芯片的所述电感器不重叠的区域中，以及

其中，从平面视角来看，所述第一互连与所述电感器重叠。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一焊盘位于第一、第二、第三和第四区域的至少其中一个区域内的多条线中，

其中，从平面视角来看比所述电感器更接近于所述半导体芯片的第一、第二、第三和第四侧面的区域被分别定义为所述第一、第二、第三和第四区域。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一焊盘位于第五和第六区域的至少其中一个中，并且位于第七和第八区域的至少其中一个中，

其中，在所述半导体芯片的第一、第二、第三和第四侧面中的一对面对的侧面被定义为第一侧面和第二侧面，而另一对面对的表面被定义为第三侧面和第四侧面，并且

通过将所述电感器的区域沿垂直于所述第一侧面的方向延伸到所述第一和第二侧面而获得的区域被分别定义为第五区域和第六区域，并且通过将所述电感器的区域沿垂直于所述第三侧面的方向延伸到所述第三和第四侧面而获得的区域被分别定义为第七区域和第八区域。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

除了与所述电感器重叠的区域之外，所述第一焊盘从平面视角来看是规则地排列。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其中，

从平面视角来看，所述第一焊盘都以正方形图案排列在除了与所述电感器重叠的区域之外的区域中。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述安装衬底具有第二互连，该第二互连设置于与所述第二焊盘相同的层中，并且

所述第二互连位于从平面视角来看与所述半导体芯片的所述电感器不重叠的区域中。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述安装衬底具有第三互连，该第三互连位于在所述第二互连下面的一层，并且

所述第三互连设置于从平面视角来看与所述半导体芯片的所述电感器不重叠的区域中。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其中，

所述第三互连位于所述第一互连之上。

9.如权利要求7所述的半导体装置，其中，

所述安装衬底具有第四互连，该第四互连位于在所述第三互连下面的一层，并且

所述第四互连设置于从平面视角来看与所述半导体芯片的所述电感器不重叠的区域中。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其中，

所述第四互连位于所述第一互连之上。

11.如权利要1所述的半导体装置，其中，

所述电感器由所述互连层中的线圈形状的互连形成。

12.如权利要求1所述的半导体装置，还包括设置在所述半导体衬底的上方的MOS晶体管，

其中，所述电路元件包括从平面图来看与所述电感器不相重叠的所述MOS晶体管。

13.如权利要求12所述的半导体装置，其中，

所述MOS晶体管具有栅电极、栅绝缘膜以及源/漏区。