[发明专利]相移光掩模制作方法

权利要求书

1.一种相移光掩模制作方法，其特征在于包括：

第一步骤：在含有可成形硬膜的第一光刻胶的相移光掩模基板上，通过第一光刻在第一光刻胶中形成第一版图图形结构；

第二步骤：通过硅烷化材料固化第一光刻胶中第一版图图形结构，加热使硅烷化材料与第一光刻胶表面反应形成不溶于第二光刻胶的隔离膜；

第三步骤：在固化后的第一光刻胶上涂布第二光刻胶；

第四步骤：进行第二光刻从而在第二光刻胶膜中形成第二版图图形的结构；

第五步骤：通过刻蚀将光刻胶中的第一版图图形和第二版图图形分别转移到部分透光的硅化鉬薄膜和不透光的铬薄膜中,完成相移光掩模制作。

2.根据权利要求1所述的相移光掩模制作方法，其特征在于，第一光刻包括第一次曝光和显影。

3.根据权利要求1或2所述的相移光掩模制作方法，其特征在于，第二光刻包括第二次曝光和显影。

4.根据权利要求1或2所述的相移光掩模制作方法，其特征在于，第一光刻胶是含硅烷基、硅烷氧基和笼形硅氧烷的光刻胶。

5.根据权利要求1或2所述的相移光掩模制作方法，其特征在于，第一光刻胶和第二光刻胶的抗刻蚀能力比大于等于1.5:1。

6.根据权利要求1或2所述的相移光掩模制作方法，其特征在于，硅烷化材料为六甲基二硅胺、三甲基氯硅烷、或六甲基二硅氮烷。

7.根据权利要求1或2所述的相移光掩模制作方法，其特征在于，第一光刻胶固化加热温度的范围为90℃至300℃硅烷化材料。

8.根据权利要求1或2所述的相移光掩模制作方法，其特征在于，第一光刻胶固化加热温度的范围为100℃至200℃。

9.根据权利要求1或2所述的相移光掩模制作方法，其特征在于，在第二步骤中，在第一光刻胶上涂布硅烷化材料以固化第一光刻胶中第一版图图形的结构，加热使硅烷化材料与第一光刻胶表面反应以形成不溶于第二光刻胶的隔离膜，通过加热蒸发去除多余的硅烷化材料。

10.根据权利要求1或2所述的相移光掩模制作方法，其特征在于，在第二步骤中，将在第一光刻胶膜中有第一版图图形结构的相移光掩模基板放置于充满硅烷化材料气体的腔体中以固化第一光刻胶中第一版图图形结构，加热使硅烷化材料与第一光刻胶表面反应形成不溶于第二光刻胶的隔离膜。