[发明专利]一种化学机械研磨方法及装置

权利要求书

1.一种化学机械研磨方法，提供晶片进行化学机械研磨，设定目标抛光速率，该方法还包括：

在所述化学机械研磨过程中，实时监测当前抛光速率，将获得的当前抛光速率与所述目标抛光速率相比较，如果当前抛光速率大于目标抛光速率，则增大排气管道中的气体压强；如果当前抛光速率小于目标抛光速率，则减小排气管道中的气体压强。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述增大排气管道中的气体压强范围是0.1帕斯卡到1帕斯卡；所述减小排气管道中的气体压强范围是0.1帕斯卡到1帕斯卡。

3.一种化学机械研磨装置，其特征在于，该装置包括：研磨平台，抛光速率检测系统，排气管道，阀门和传感器；

所述研磨平台，用于研磨晶片；

所述排气管道，位于所述研磨平台上方，用于研磨平台排出的废气；

所述抛光速率检测系统，与所述研磨平台相连，用于在设定目标抛光速率之后，实时监测和获取所述研磨平台的当前抛光速率，将获取的所述当前抛光速率与所述目标抛光速率相比较，如果当前抛光速率大于目标抛光速率，则通过所述信号反馈向所述传感器发送第一信号，如果当前抛光速率小于目标抛光速率，则向所述传感器发送第二信号；

所述传感器，用于接收所述抛光速率监测系统发送的第一信号或第二信号，根据接收的所述第一信号控制所述阀门增大所述排气管道中的气体压强，或者根据接收的所述第二信号控制所述阀门减小所述排气管道中的气体压强；

所述阀门，位于所述排气管道上，用于增大或减小所述排气管道中的气体压强。

4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第一信号是高电平信号，所述第二信号是低电平信号。

5.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第一信号是低电平信号，所述第二信号是高电平信号。

6.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述增大排气管道中的气体压强的范围是0.1帕斯卡到1帕斯卡；所述减小排气管道中的气体压强的范围是0.1帕斯卡到1帕斯卡。