[发明专利]掩膜板固化方法及掩膜板处理工艺

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种掩膜板固化方法及掩膜板处理工艺。

背景技术

在半导体制造中，光刻工艺是最重要的步骤之一，光刻确定了半导体器件的关键尺寸。光刻工艺主要作用是将掩膜板(Mask)上的图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备，当掩膜板存在缺陷时，掩膜板的缺陷会在光刻工艺中转移到硅片(Wafer)上，最终可转化为对半导体器件的电特性产生影响，所以掩膜板的质量需要严格的控制。

在现有技术中，在掩膜板上制备出图形后，需要将掩膜板放到紫外光下用紫外光照射，从而使掩膜板固化。但图形化的掩膜板在紫外光固化前往往会存在一些缺陷(Defect)，该缺陷在紫外光下会发生化学反应，发生化学反应的缺陷时无法通过湿法刻蚀的方法去除的。所以，一旦图形化的掩膜板在紫外光固化前存在缺陷，该存在缺陷的掩膜板只能报废，然而掩膜板的成本很高，报废掩膜板就会造成极大的浪费。

因此，如何提供一种掩膜板固化方法，使得固化后的固化掩膜板上的缺陷能够轻易去除，已成为本领域技术人员需要解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种掩膜板固化方法及掩膜板处理工艺，使得固化后的固化掩膜板上的缺陷能够轻易去除，降低掩膜板的报废率，节约成本。

为解决上述技术问题，本发明提供一种掩膜板固化处理方法，对掩膜板进行等离子体工艺处理，以使掩膜板固化。

进一步的，所述等离子体工艺处理的气体包括氢气和氮气，氢气和氮气的体积比为1∶20～1∶100。

进一步的，所述等离子体工艺处理的处理时间为1200秒～2400秒，气体流量为3000标况毫升每分～6000标况毫升每分，压力为150帕～400帕，温度为100摄氏度～200摄氏度。

进一步的，采用灰化机台对所述掩膜板进行等离子体工艺处理。

进一步的，提供一种掩膜板处理工艺，包括：

制备具有图形的掩膜板；

将所述掩膜板进行等离子体工艺处理，使所述掩膜板固化以形成固化掩膜板；以及

将所述固化掩膜板进行湿法清洗。

进一步的，所述等离子体工艺处理的气体包括氢气和氮气，氢气和氮气的体积比为1∶20～1∶100。

进一步的，所述等离子体工艺处理的处理时间为1200秒～2400秒，气体流量为3000标况毫升每分～6000标况毫升每分，压力为150帕～400帕，温度为100摄氏度～200摄氏度。

进一步的，采用灰化机台对所述掩膜板进行等离子体工艺处理。

进一步的，所述湿法刻蚀的刻蚀液为硫酸、盐酸、双氧水、氨水或碳酸中的一种或几种的组合。

进一步的，将所述掩膜板进行等离子体工艺处理步骤和将所述固化掩膜板进行湿法清洗步骤作为一个循环，重复若干次。

与现有技术相比，本发明提供的掩膜板处理工艺具有以下优点：

本发明提供的掩膜板固化处理方法，将掩膜板进行等离子体工艺处理，以使掩膜板固化，与现有技术相比，采用等离子体处理不会使缺陷发生化学反应，使得固化后的固化掩膜板上的缺陷能够轻易去除，从而降低掩膜板的报废率，节约成本。

附图说明

图1为本发明一实施例中掩膜板固化方法的示意图；

图2为本发明一实施例中掩膜板处理工艺的流程图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的掩膜板处理工艺进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。

为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

本发明的核心思想在于，提供一种掩膜板固化方法，将掩膜板进行等离子体工艺处理，以使掩膜板固化。