[发明专利]掩膜板固化方法及掩膜板处理工艺无效
| 申请号： | 201210366881.X | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103698972A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 顾婷婷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/68 | 分类号： | G03F1/68;G03F1/82 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掩膜板 固化 方法 处理 工艺 | ||
1.一种掩膜板固化方法，其特征在于，对掩膜板进行等离子体工艺处理，以使掩膜板固化。
2.如权利要求1所述的掩膜板固化方法，其特征在于，所述等离子体工艺处理的气体包括氢气和氮气，氢气和氮气的体积比为1∶20～1∶100。
3.如权利要求2所述的掩膜板固化方法，其特征在于，所述等离子体工艺处理的处理时间为1200秒～2400秒，气体流量为3000标况毫升每分～6000标况毫升每分，压力为150帕～400帕，温度为100摄氏度～200摄氏度。
4.如权利要求1-3中任意一项所述的掩膜板固化方法，其特征在于，采用灰化机台对所述掩膜板进行等离子体工艺处理。
5.一种掩膜板处理工艺，包括：
制备具有图形的掩膜板；
将所述掩膜板进行等离子体工艺处理，使所述掩膜板固化以形成固化掩膜板；以及
将所述固化掩膜板进行湿法清洗。
6.如权利要求5所述的掩膜板处理工艺，其特征在于，所述等离子体工艺处理的气体包括氢气和氮气，氢气和氮气的体积比为1∶20～1∶100。
7.如权利要求6所述的掩膜板处理工艺，其特征在于，所述等离子体工艺处理的处理时间为1200秒～2400秒，气体流量为3000标况毫升每分～6000标况毫升每分，压力为150帕～400帕，温度为100摄氏度～200摄氏度。
8.如权利要求5所述的掩膜板固化方法，其特征在于，采用灰化机台对所述掩膜板进行等离子体工艺处理。
9.如权利要求5所述的掩膜板固化方法，其特征在于，所述湿法清洗的清洗液为硫酸、盐酸、双氧水、氨水或碳酸中的一种或几种的组合。
10.如权利要求5-9中任意一项所述的掩膜板固化方法，其特征在于，将所述掩膜板进行等离子体工艺处理步骤和将所述固化掩膜板进行湿法清洗步骤作为一个循环，重复若干次。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
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