[发明专利]伪静态随机存取记忆体的运作方法及相关记忆装置有效
申请号: | 201210366232.X | 申请日: | 2012-09-27 |
公开(公告)号: | CN103000223A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 陈和颖;刘士晖 | 申请(专利权)人: | 钰创科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/413 | 分类号: | G11C11/413;G11C11/4063 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;常大军 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静态 随机存取 记忆体 运作 方法 相关 记忆 装置 | ||
1.一种伪静态随机存取记忆体的运作方法,其特征在于,包含:
在收到一外部指令信号时,若该伪静态随机存取记忆体并未在执行一特定运作,或已经完成该特定运作且符合一相对应的时序参数,依据一第一延迟时间来执行该外部指令信号;以及
在收到该外部指令信号时,若该伪静态随机存取记忆体正在执行该特定运作,或已经完成该特定运作但尚未符合该时序参数,依据一第二延迟时间来执行该外部指令信号,其中该第二延迟时间大于该第一延迟时间。
2.根据权利要求1所述的伪静态随机存取记忆体的运作方法,其特征在于,还包含:
在收到该外部指令信号时,判断该伪静态随机存取记忆体的一目前状态。
3.根据权利要求1所述的伪静态随机存取记忆体的运作方法,其特征在于,还包含:
该伪静态随机存取记忆体依据一内部刷新信号来周期性地执行一刷新运作;以及
若在依据该内部刷新信号需执行该刷新运作时收到该外部指令信号,则中断该内部刷新信号。
4.根据权利要求1所述的伪静态随机存取记忆体的运作方法,其特征在于,该外部指令信号相关于一非同步读取运作。
5.根据权利要求1所述的伪静态随机存取记忆体的运作方法,其特征在于,该特定运作包含一读运作、一写运作、一自我刷新运作,或一预充电运作。
6.根据权利要求1所述的伪静态随机存取记忆体的运作方法,其特征在于,该时序参数包含一主动至预充电延迟、一写入恢复时间、一列周期时间,或一列地址至行地址延迟。
7.根据权利要求1所述的伪静态随机存取记忆体的运作方法,其特征在于,该伪静态随机存取记忆体是依据一中央时脉信号来运作,该第一延迟时间是为该中央时脉信号的一个周期,而该第二延迟时间是为该中央时脉信号的两个周期。
8.一种可自动调整延迟时间的记忆装置,其特征在于,包含:
一伪静态随机存取记忆体,用来依据一外部指令信号来运作;
一执行状态检测器,用来在收到该外部指令信号时,判断该伪静态随机存取记忆体的一目前状态;以及
一延迟控制器,其依据该目前状态来设定该伪静态随机存取记忆体的一延迟时间。
9.根据权利要求8所述的可自动调整延迟时间的记忆装置,其特征在于,该外部指令信号是相关于一非同步读取运作。
10.根据权利要求8所述的可自动调整延迟时间的记忆装置,其特征在于,
在收到该外部指令信号时,若该执行状态检测器判断该伪静态随机存取记忆体并未在执行一特定运作,或已经完成该特定运作且符合一相对应的时序参数,该延迟控制器控制该伪静态随机存取记忆体使其以一第一延迟时间来执行该外部指令信号;以及
在收到该外部指令信号时,若该执行状态检测器判断该伪静态随机存取记忆体正在执行该特定运作,或已经完成该特定运作但尚未符合该时序参数,该延迟控制器控制该伪静态随机存取记忆体使其以一第二延迟时间来执行该外部指令信号,其中该第二延迟时间大于该第一延迟时间。
11.根据权利要求10所述的可自动调整延迟时间的记忆装置,其特征在于,该特定运作包含一读运作、一写运作、一自我刷新运作,或一预充电运作。
12.根据权利要求10所述的可自动调整延迟时间的记忆装置,其特征在于,该时序参数包含一主动至预充电延迟、一写入恢复时间、一列周期时间、一列地址至行地址延迟。
13.根据权利要求10所述的记忆装置,其特征在于,该伪静态随机存取记忆体还依据一中央时脉信号来运作,该第一延迟时间是为该中央时脉信号的一个周期,而该第二延迟时间是为该中央时脉信号的两个周期。
14.根据权利要求8所述的可自动调整延迟时间的记忆装置,其特征在于,还包含一自我刷新控制器,用来:
提供一内部刷新信号以使该伪静态随机存取记忆体依此周期性地执行一刷新运作;以及
在收到该外部指令信号时,若该执行状态检测器判断依据该内部刷新信号需执行该刷新运作,则该自我刷新控制器中断该内部刷新信号。
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