[发明专利]一种纳米复合结构的V-C-Co韧性涂层及其制备方法有效
| 申请号： | 201210363892.2 | 申请日： | 2012-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN102864413A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 黄峰;李艳玲;张晓娟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/35 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 刘诚午 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 复合 结构 co 韧性 涂层 及其 制备 方法 | ||
1.一种纳米复合结构的V-C-Co韧性涂层，其特征在于，以重量百分比计，组成元素为：
V 33.9～70.0％
C 15.1～23.0％
Co 7.0～45.0％。
2.根据权利要求1所述的纳米复合结构的V-C-Co韧性涂层，其特征在于，以重量百分比计，组成元素为：
V 45.9～65.7％
C 18.1～22.2％
Co 12.1～36.0％。
3.根据权利要求1或2所述的纳米复合结构的V-C-Co韧性涂层，其特征在于，所述的V-C-Co韧性涂层包括VC相和Co相；
所述的VC相具有晶体结构，由VC晶粒组成，所述的VC相分散于Co相中；
所述的Co相为非晶体结构。
4.根据权利要求3所述的纳米复合结构的V-C-Co韧性涂层，其特征在于，所述的VC晶粒的粒径为5～15nm，相邻两VC晶粒的距离为1～5nm。
5.根据权利要求1～4任一项所述的纳米复合结构的V-C-Co韧性涂层的制备方法，其特征在于，包括：将VC靶安装在中频阴极上，Co靶安装在直流阴极上，采用磁控溅射方法，对基体进行沉积，得到所述的V-C-Co韧性涂层。
6.根据权利要求5所述的纳米复合结构的V-C-Co涂层的制备方法，其特征在于，沉积时，沉积温度为200℃～400℃，沉积压力为0.3Pa～1.0Pa。
7.根据权利要求5所述的纳米复合结构的V-C-Co涂层的制备方法，其特征在于，沉积时，VC靶溅射功率密度为：2.5～6.2W/cm2，Co靶溅射功率密度为：0.05～0.5W/cm2。
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