[发明专利]半导体装置及其温度控制方法以及测试系统有效

专利信息
申请号: 201210300101.1 申请日: 2012-08-22
公开(公告)号: CN103631283A 公开(公告)日: 2014-03-12
发明(设计)人: 张昆辉 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: G05D23/19 分类号: G05D23/19
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 赵根喜;冯志云
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 及其 温度 控制 方法 以及 测试 系统
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种半导体装置及其温度控制方法以及测试系统。

背景技术

在生产半导体装置的产品的过程中,通常需要在多个不同的温度进行各项功能测试,例如温度条件为45℃、85℃、95℃、105℃或125℃。现有技术对于不同温度的测试条件,常通过增加测试站来提供所需的测试温度。然而,这种增加测试站的做法需要更大的空间来容置测试机台,且会大幅度地增加生产成本,并且在测试站之间运送产品时会拉长测试时间。

发明内容

有鉴于此,本发明的目的在于提出一种半导体装置及其温度控制方法以及测试系统,藉以解决现有技术所述及的问题。

本发明提出一种半导体装置,其包括至少一温度控制单元以及至少一加热单元。温度控制单元用以反应于半导体装置外部的一外部控制信号而运作。加热单元耦接温度控制单元。温度控制单元反应于外部控制信号的第一指令信号而控制加热单元的温度,据以从第一工作温度升温至第二工作温度。

在本发明的一实施例中,当温度控制单元接收到来自外部控制信号的第二指令信号时,温度控制单元反应于第二指令信号而控制加热单元的温度,据以从第二工作温度升温至第三工作温度。

在本发明的一实施例中,半导体装置还包括逻辑控制单元。逻辑控制单元耦接温度控制单元。逻辑控制单元根据各个温度控制单元的反馈结果,于达到第二工作温度时传送第一反馈信号,还可于达到第三工作温度时传送第二反馈信号。

本发明另提出一种半导体装置的温度控制方法,其包括以下步骤。提供测试机台以控制半导体装置的运作。测试机台传送第一指令信号至半导体装置的温度控制单元。温度控制单元反应于第一指令信号而控制半导体装置的加热单元的温度,据以从第一工作温度升温至第二工作温度。

本发明另提出一种测试系统。测试系统包括测试机台以及半导体装置。半导体装置包括至少一温度控制单元以及至少一加热单元。温度控制单元用以反应于测试机台的控制而运作。加热单元耦接温度控制单元。温度控制单元反应于测试机台的第一指令信号而控制加热单元的温度,据以从第一工作温度升温至第二工作温度。

本发明的有益效果在于,基于上述,本发明的半导体装置内配置了加热单元,当测试特定的温度时,可控制半导体装置内的加热单元的温度,以在特定的温度进行功能测试,从而减少测试站的数量与所需的测试空间。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。

附图说明

下面的附图是本发明的说明书的一部分,绘示了本发明的示例实施例,附图与说明书的描述一起说明本发明的原理。

图1是依照本发明一实施例的测试系统的示意图。

图2是依照本发明一实施例的测试温度的示意图。

图3是依照本发明一实施例的测试流程图。

图4是依照本发明另一实施例的测试系统的示意图。

图5是依照本发明一实施例的半导体装置的温度控制方法的流程图。

其中,附图标记说明如下:

100A、100B:测试系统

110:测试机台

120、120A:半导体装置

130、130A、130B:温度控制单元

140_1、140_2、140A_1、140A_n、140B_1、140B_m:加热单元

150:逻辑控制单元

A0~A6:测试区间

CS:校正信号

ES1、ES2:致能信号

FBS1、FBS2:反馈信号

F0:室温

F1、F2、F3:工作温度

S310~S360:本发明一实施例的测试流程的各步骤

S510~S550:本发明一实施例的半导体装置的温度控制方法的各步骤

T1~T7:时间点

具体实施方式

现将详细参考本发明的实施例,并在附图中说明所述实施例。然而,本发明概念可以许多不同形式体现且不应被解释为限于本文中所阐述的实施例。另外,在附图及实施方式中使用相同标号的元件/构件代表相同或类似部分。

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