[发明专利]半导体装置及其温度控制方法以及测试系统有效
申请号: | 201210300101.1 | 申请日: | 2012-08-22 |
公开(公告)号: | CN103631283A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 张昆辉 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G05D23/19 | 分类号: | G05D23/19 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 赵根喜;冯志云 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 温度 控制 方法 以及 测试 系统 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,所述半导体装置包括:
至少一温度控制单元,用以反应于所述半导体装置外部的一外部控制信号而运作;以及
至少一加热单元,耦接所述温度控制单元;
其中,所述温度控制单元反应于所述外部控制信号的一第一致能信号而控制所述加热单元的温度,据以从一第一工作温度升温至一第二工作温度。
2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,当所述温度控制单元接收到来自所述外部控制信号的一第二致能信号时,所述温度控制单元反应于所述第二致能信号而控制所述加热单元的温度,据以从所述第二工作温度升温至一第三工作温度。
3.如权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,所述半导体装置还包括:
一逻辑控制单元,耦接所述温度控制单元,所述逻辑控制单元根据各个所述温度控制单元的反馈结果,于达到所述第二工作温度时传送一第一反馈信号。
4.如权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,所述逻辑控制单元根据各个所述温度控制单元的反馈结果,于达到所述第三工作温度时传送一第二反馈信号。
5.一种半导体装置的温度控制方法,其特征在于,所述温度控制方法包括步骤:
提供一测试机台以控制所述半导体装置的运作;
所述测试机台传送一第一致能信号至所述半导体装置的一温度控制单元;以及
所述温度控制单元反应于所述第一致能信号而控制所述半导体装置的一加热单元的温度,据以从一第一工作温度升温至一第二工作温度。
6.如权利要求5所述的半导体装置的温度控制方法,其特征在于,所述温度控制方法还包括步骤:
当所述温度控制单元接收到来自所述测试机台的一第二致能信号时,所述温度控制单元反应于所述第二致能信号而控制所述加热单元的温度,据以从所述第二工作温度升温至一第三工作温度。
7.如权利要求5所述的半导体装置的温度控制方法,其特征在于,在从所述第一工作温度升温至所述第二工作温度的过程中,所述半导体装置于达到所述第二工作温度时传送一第一反馈信号至所述测试机台。
8.如权利要求5所述的半导体装置的温度控制方法,其特征在于,在从所述第二工作温度升温至所述第三工作温度的过程中,所述半导体装置于达到所述第三工作温度时传送一第二反馈信号至所述测试机台。
9.一种测试系统,其特征在于,所述测试系统包括:
一测试机台;以及
一半导体装置,包括:
至少一温度控制单元,用以反应于所述测试机台的控制而运作;以及
至少一加热单元,耦接所述温度控制单元;
其中,所述温度控制单元反应于所述测试机台的一第一致能信号而控制所述加热单元的温度,据以从一第一工作温度升温至一第二工作温度。
10.如权利要求9所述的测试系统,其特征在于,当所述温度控制单元接收到来自所述测试机台的一第二致能信号时,所述温度控制单元反应于所述第二致能信号而控制所述加热单元的温度,据以从所述第二工作温度升温至一第三工作温度。
11.如权利要求10所述的测试系统,其特征在于,所述半导体装置还包括:
一逻辑控制单元,耦接所述温度控制单元,所述逻辑控制单元根据各个所述温度控制单元的反馈结果,于达到所述第二工作温度时传送一第一反馈信号至所述测试机台。
12.如权利要求11所述的测试系统,其特征在于,所述逻辑控制单元根据各个所述温度控制单元的反馈结果,于达到所述第三工作温度时传送一第二反馈信号至所述测试机台。
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