[发明专利]有机发光装置及其制造方法

说明书

技术领域

示例性实施方式涉及有机发光装置及其制造方法，更具体地，涉及具有改善的光致发光效率的有机发光装置及其制造方法。

背景技术

有机发光显示设备以低电压工作且轻便，并且具有小厚度、宽视角、高对比度、以及高响应速度。由于这些优点，它们被视为下一代设备。

发明内容

示例性实施方式提供了有机发光装置及其制造方法，该有机发光装置具有由于包含两个像素电极而得到改善的光致发光效率。

示例性实施方式还提供了有机发光装置及其制造方法，在该有机发光装置中，在有机发光装置通过印刷制造时，发光部的边缘处的发光被抑制，以改善萃取光的质量。

根据示例性实施方式的一个方面，提供了一种有机发光装置，包括：第一像素电极，布置在衬底上；第一堤部，覆盖所述第一像素电极的边缘，所述第一堤部具有使所述第一像素电极的一部分暴露的第一开口；第二像素电极，覆盖所述第一像素电极通过所述第一开口暴露的部分，所述第二像素电极覆盖所述第一堤部的至少一部分；有机发光层，覆盖所述第二像素电极；以及相对电极，覆盖所述有机发光层。

所述第一像素电极和所述第二像素电极可包括具有不同折射率的材料。

所述第二像素电极可直接位于所述第一像素电极与所述有机发光层之间，所述第一像素电极的表面和所述第二像素电极的表面直接接触。

所述第一像素电极和所述第二像素电极各自的第一部分可彼此直接接触，所述第一堤部的一部分可位于所述第一像素电极和所述第二像素电极各自的第二部分之间。

所述第一堤部的厚度可约为1μm或更小。

所述有机发光装置还可包括位于所述第一堤部上的第二堤部，所述第二堤部包括比所述第一开口更宽并使所述第二像素电极暴露的第二开口。

所述第一堤部和所述第二堤部可包括相同的有机材料。

所述第二像素电极可包括ITO、IZO、ZnO、In₂O₃、IGO、以及IZO中的至少一种。

所述第二像素电极的厚度可约为100nm或更小。

所述第二像素电极可包括金属材料。

所述第二像素电极的厚度可约为10nm或更小。

根据示例性实施方式的另一个方面，提供了一种制造有机发光装置的方法，包括：在衬底上形成第一像素电极；形成覆盖所述第一像素电极的边缘的第一堤部，所述第一堤部具有使所述第一像素电极的一部分暴露的第一开口；形成覆盖所述第一像素电极通过所述第一开口暴露的部分的第二像素电极，所述第二像素电极覆盖所述第一堤部的至少一部分；形成覆盖所述第二像素电极的有机发光层；以及形成覆盖所述有机发光层的相对电极。

所述方法还可包括在所述第一堤部上形成第二堤部，使得所述第二堤部具有比所述第一开口更宽的第二开口且所述有机发光层在所述第二开口所限定的区域中覆盖所述第二像素电极。

形成所述第一堤部和所述第二堤部的步骤可包括使用半色调掩模和相同材料同时形成所述第一堤部和所述第二堤部。

形成所述第二像素电极的步骤可包括使用折射率与所述第一像素电极的材料的折射率不同的材料。

形成所述有机发光层的步骤可包括向所述第二像素电极施加液体有机材料，并进行干燥。

形成所述第二像素电极的步骤可包括使用ITO、IZO、ZnO、In₂O₃、IGO、以及IZO中的至少一种。

形成所述第二像素电极的步骤可包括施加材料至厚度约为100nm或更小。

形成所述第二像素电极的步骤可包括使用金属材料。

形成所述第二像素电极的步骤可包括施加材料至厚度约为10nm或更小。

附图说明

通过参照附图对示例性实施方式进行详细描述，上述特征和其它特征对本领域技术人员来说将变得显而易见，在附图中：

图1示出根据示例性实施方式的有机发光装置的示意性截面视图；

图2示出用于对图1的有机发光装置的共振原理进行解释的概念性视图；

图3示出用于解释如何在图1的有机发光装置的边缘处抑制光萃取的概念性视图；

图4至9示出根据示例性实施方式的制造有机发光装置的方法的阶段的横截面视图；以及

图10示出根据其它示例性实施方式的有机发光装置的示意性截面视图。

具体实施方式