[发明专利]一种提高金属-绝缘体-金属电容器可靠性的方法及其工艺结构

权利要求书

1.一种提高金属-绝缘体-金属电容器可靠性的方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一衬底，在所述衬底上淀积一层第一金属介电层；

在所述第一金属介电层上有一凹槽，在所述凹槽中淀积金属层；

在所述第一金属介电层和所述金属层上依次沉积一层刻蚀停止层和第二金属介电层；

在所述第二金属介电层中形成第一通孔和第二通孔；

在所述第一通孔和第二通孔以及所述第二金属介电层表面覆盖一层底部抗反射层；

在所述第二通孔上制作多层沟槽，形成底部宽度逐渐增大的层叠沟槽，将所述多层沟槽的底部制作成第一倒角，所述第一通孔与所述第二金属介电层接触顶端和所述多层沟槽之间的连接处制作成第二倒角；

刻蚀所述第一通孔和所述第二通孔至所述第一金属介电层表面停止，在所述第一通孔、所述第二通孔、所述层叠沟槽、所述第一金属介电层以及所述第二金属介电层表面从上往下依次形成上电极、绝缘膜以及下电极。

2.根据权利要求1所述的提高金属-绝缘体-金属电容器可靠性的方法，其特征在于，在所述第二通孔上制作多层沟槽，形成底部宽度逐渐增大的层叠沟槽的步骤中，包括以下步骤：

在第二通孔上制作一第一层沟槽；

在所述第一层沟槽中填充一层第二底部抗反射层；

刻蚀所述第二底部抗反射层和所述第二金属介电层，形成第二层沟槽。

3.根据权利要求1所述的提高金属-绝缘体-金属电容器可靠性的方法，其特征在于，在刻蚀所述第一通孔和所述第二通孔至所述第一金属介电层表面停止，在所述第一通孔、所述第二通孔、所述层叠沟槽、所述第一金属介电层以及所述第二金属介电层表面从上往下依次形成上电极、绝缘膜以及下电极的步骤中，在所述第一通孔、所述第二通孔以及所述第一金属介电层中填充金属，制作下电极。

4.根据权利要求1所述的提高金属-绝缘体-金属电容器可靠性的方法，其特征在于，所述第一倒角为倒角圆角。

5.根据权利要求1所述的提高金属-绝缘体-金属电容器可靠性的方法，其特征在于，其特征在于，所述第二倒角为斜角。

6.一种根据权利要求1-5中的一种提高金属-绝缘体-金属电容器可靠性的方法的工艺结构，包括一衬底，其特征在于，还包括：

位于所述衬底上的第一金属介电层、金属层和第二金属介电层；形成于所述第二金属介电层上的第一通孔和第二通孔；

形成于所述第二通孔上的有多层凹槽制作成的层叠凹槽，所述多层凹槽的底部均为第一倒角形状，所述多层凹槽之间的连接处为第二倒角形状；

位于所述第二金属介电层上方的电容器。

7.根据权利要求6所述的提高金属-绝缘体-金属电容器可靠性的方法的工艺结构，其特征在于，所述第一倒角为倒角圆角。

8.根据权利要求6所述的提高金属-绝缘体-金属电容器可靠性的方法的工艺结构，其特征在于，所述第二倒角为斜角。