[发明专利]形成开口的方法

说明书

技术领域

本发明是涉及一种形成开口的方法，特别是涉及一种在基板中形成平滑边缘开口的方法。

背景技术

在现代的资讯社会中，由集成电路(integrated circuit，IC)所构成的微处理系统早已被普遍运用在生活的各个层面，例如自动控制的家电用品、行动通讯设备、个人计算机等，都有集成电路的使用。而随着科技的日益精进，以及人类社会对于电子产品的各种想象，使得集成电路也往更多元、更精密、更小型的方向发展。

在半导体制作工艺上，为了将集成电路的图案顺利地转移到半导体芯片上，必须先将电路图案设计于一光掩膜布局图上，然后根据光掩膜布局图所输出的掩膜图案(photomask pattern)来制作一光掩膜，并且将光掩膜上的图案以一定的比例转移到该半导体芯片上，也就是所谓的光刻技术(lithography)。在现有的光刻技术中常会遇到许多问题。举例来说，为了避免在光刻工艺中光波的反射而形成驻波现象，在形成光致抗蚀剂之前还会在基板上形成一抗反射层(anti reflective coating，ARC)。在现有的技术中，将光致抗蚀剂的图案转移到抗反射层时，图案常会出现偏差，例如会出现锯齿状边缘的结构。通常这样的结构也会一并转移到基板上，使得基板蚀刻后的图形也出现锯齿状边缘，而影响了元件的品质。

因此，还需要一种新颖的光刻技术，以解决上述问题。

发明内容

本发明于是提供一种在基板上形成开口的方法，能避免前述形成锯齿状边缘的开口，而能形成平滑边缘的开口。

根据本发明的一个实施方式，本发明提供了一种形成开口的方法。首先提供一基板，然后在基板上依次形成抗反射层以及光致抗蚀剂层。接着在光致抗蚀剂层中形成第一开口，以及在抗反射层中形成第二开口。后续对第二开口进行一平滑处理步骤。最后通过第一开口与第二开口以图案化基板，以在基板中形成第三开口。

本发明由于在形成第二开口之后，还提供了一个平滑处理工艺，通过含氟含碳的气体以消除抗反射层中的锯齿状图形，因此后续在基板中形成的开口同样具有平滑的图形，可以得到良好的元件品质。

附图说明

图1至图10所示为本发明形成开口的步骤示意图。

其中，附图标记说明如下：

300    基板            308  第二开口

302    抗反射层        310  第三开口

304    光致抗蚀剂      A    锯齿状边缘

306    第一开口        B    平滑边缘

具体实施方式

为使本发明所属技术领域的技术人员能进一步了解本发明，以下的说明举出了本发明几个优选实施方式，并配合附图与说明，以详细说明本发明的内容及所欲实现的效果。

请参考图1至图10，所示为本发明形成开口的步骤示意图，其中图4、图6与图9为上视图，而图5、图7与图10则分别为图4、图6与图9的剖面图。如图1所示，首先提供一基板300。基板300可以包含具有半导体材料的基底，例如是硅基底(silicon substrate)、外延硅基底(epitaxial silicon substrate)、硅锗半导体基底(silicon germanium substrate)、碳化硅基底(silicon carbide substrate)或硅覆绝缘基底(silicon-on-insulator substrate，SOI substrate)，也可以包含具有非半导体材料基底，例如是玻璃基底(glass substrate)，后续可以在其上形成具有薄膜晶体管(thin-film-transistor)的显示装置，或是熔融石英块(fused quartz)，后续可以在其上形成光掩膜。而在另一实施例中，基板300可以包含不同的掺杂区(doping region)、一层或多层的介电层(dielectric layer)或多层金属内连线系统(metal interconnection system)，并具有一个或多个微电子元件设置在这些介电层中，例如是互补式金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，CMOS)晶体管或是感光元件晶体管(photo-diode)等。任何可以在后续通过光刻工艺来形成图案化的基底材质，都可以作为本发明的基板300。