[发明专利]形成开口的方法有效
| 申请号： | 201210129107.7 | 申请日： | 2012-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN103377885A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 开口 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种形成开口的方法，其特征在于，包括：
提供基板；
在所述基板上依次形成抗反射层以及光致抗蚀剂层；
在所述光致抗蚀剂层中形成第一开口，以及在所述抗反射层中形成第二开口；
对所述第二开口进行平滑处理步骤；以及
通过所述第一开口与所述第二开口以图案化所述基板，以在所述基板中形成第三开口。
2.根据权利要求1所述的形成开口的方法，其特征在于，所述平滑处理步骤包括提供含氟含碳气体。
3.根据权利要求2所述的形成开口的方法，其特征在于，所述含氟含碳气体包括四氟化碳。
4.根据权利要求1所述的形成开口的方法，其特征在于，进行所述平滑处理步骤之前，所述第二开口具有锯齿状边缘。
5.根据权利要求1所述的形成开口的方法，其特征在于，进行所述平滑处理步骤之后，所述第二开口具有平滑边缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
