[发明专利]晶片分割方法

说明书

技术领域

本发明涉及沿着分割预定线对半导体晶片等晶片进行分割的晶片分割方法。

背景技术

针对表面形成有多个IC、LSI等器件、并通过形成为格子状的被称作间隔道的分割预定线对各个器件进行划分后的半导体晶片，利用切削装置沿着间隔道进行切削，由此分割为各个器件，分割后的器件被广泛应用于移动电话、个人计算机等各种电气设备。

借助划片带将晶片支撑在环状框上，并在该状态下搭载于切削装置的卡盘台。在晶片的切削中，广泛使用了具有可旋转地支撑切削刀具的切削单元的被称作划片机(dicer)的切削装置。

切削刀具具有通过金属或树脂将金刚石、CBN等超磨粒固在一起而得到的厚度20～40μm左右的环状的切削刃，将该切削刃定位于分割预定线，使切削刀具一边以30000rpm左右的高速旋转一边切入晶片，并对卡盘台进行加工进给，由此来切削晶片而形成分割槽，将晶片分割为各个器件。

【专利文献1】日本特开平10-312979号公报

但是，在用切削刀具沿着分割预定线切削晶片而形成分割槽，并将晶片分割为各个器件时，存在如下问题：在分割槽两侧的晶片的背面侧会产生较大的缺口，使器件的抗折强度降低。

不限于IC、LSI等器件，在像用切削刀具切削石英板来形成石英振子的情况那样切削不具有电路的器件的情况下，也同样会产生这种问题。

发明内容

本发明正是鉴于这种问题而完成的，其目的在于，提供一种不会在背面侧产生较大缺口的晶片分割方法。

根据本发明，提供一种晶片分割方法，针对通过分割预定线进行划分而在正面形成有多个器件的晶片，将该晶片分割为各个器件，该晶片分割方法的特征在于，具有以下工序：第1保持工序，用激光加工装置的卡盘台保持晶片；改性层形成工序，将对于晶片具有透射性的波长的激光束的聚光点对准于晶片内部而照射该激光束，在该分割预定线的两侧的晶片背面侧形成一对改性层，这一对改性层的间隔比切削刀具的切削刃的宽度大，且比该分割预定线的宽度小；晶片粘贴工序，将晶片粘贴到外周部被粘贴于环状框的划片带上；第2保持工序，在实施该改性层形成工序和该晶片粘贴工序后，利用切削装置的卡盘台隔着该划片带来保持晶片；以及分割工序，用切削刀具切削该各分割预定线，将晶片分割为各个器件。

根据本发明的晶片分割方法，在实施通过切削刀具将晶片分割为各个器件的分割工序前，实施改性层形成工序，在所述改性层形成工序中，向晶片照射对于晶片具有透射性的波长的激光束，在分割预定线的两侧且处于晶片背面侧的位置形成一对改性层，这一对改性层具有比切削刀具的切削刃的宽度大、且比分割预定线的宽度小的间隔，因此，利用形成于分割预定线两侧的改性层，阻断了切削刃的破碎力，从而不会在形成于晶片背面侧的分割槽两侧产生较大的缺口。

附图说明

图1是示出在半导体晶片的正面侧粘贴保护带的状态的分解立体图。

图2是示出用激光加工装置的卡盘台对粘贴在半导体晶片的正面的保护带侧进行吸附保持的状态的分解立体图。

图3是说明改性层形成工序的立体图。

图4是激光束产生单元的框图。

图5是借助划片带支撑在环状框上的半导体晶片的立体图。

图6是示出用切削刀具切削半导体晶片时的状态的立体图。

图7是晶片切削时的晶片的纵剖面图。

标号说明

10：激光加工装置；11：半导体晶片；13：分割预定线(间隔道)；14：激光束产生单元；15：器件；18：聚光器；20：摄像单元；34：改性层；36：切削装置；44：切削刀具；44a：切削刃；52：切削槽(分割槽)。

具体实施方式

下面，参照附图来详细地说明本发明的实施方式。参照图1，示出了在半导体晶片11的正面11a粘贴保护带23的状态的分解立体图。

半导体晶片11由例如厚度为700μm的硅晶片构成，在正面11a中，格子状地形成有多个分割预定线(间隔道)13，并且，在由多个分割预定线13划分出的各区域中分别形成有IC、LSI等器件15。

这样构成的晶片11具有：形成有器件15的器件区域17和围绕器件区域17的外周剩余区域19。此外，在晶片11的外周形成有作为表示硅晶片的晶向的标记的凹口21。

在本发明的晶片分割方法中，为了对形成于晶片11的正面11a的器件15进行保护，如图1所示，在晶片11的正面11a粘贴保护带23。