[发明专利]基于量子点-量子阱混合结构的锁模半导体激光器无效

专利信息
申请号: 201210073343.1 申请日: 2012-03-19
公开(公告)号: CN102593720A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 苏辉 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: H01S5/34 分类号: H01S5/34;H01S5/20;H01S5/343
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 350002 *** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 基于 量子 混合结构 半导体激光器
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种半导体器件,特别是指一种含有量子点-量子阱混合的皮秒/亚皮秒锁模半导体激光器。

背景技术

Internet的普及以及宽带综合业务数字网的飞速发展推动了社会向信息化方向发展,人们对信息的需求也与日俱增,全社会整体的数据业务量几乎半年就增长一倍,建立超大容量、超长距离和超高速的通信网络是势在必行的发展方向。为了实现超大容量、超长距离和超高速的通信网络,国际上存在两种选择方案:波分复用(WDM)和光时分复用(OTDM)。WDM技术已经十分成熟,而OTDM技术尚处于探索阶段,还是属于未来的技术。因为要在光域上对信号进行处理恢复时钟识别信头以及选出路序,都需要全光逻辑和存储器件,而这些器件尚不成熟,这就限制了OTDM的发展和应用。OTDM技术具有以下的优点:传输容量大,传输速度快,能有效地利用光纤的频谱带宽,适合于不同距离和容量的光网络中;能够采用非线性光孤子传输来消除光纤通信传输系统中的色散影响;OTDM可以产生及复用高达几百Gbit/s的数据流等等。因此,随着信息社会对通信容量需求的日益增加和光逻辑器件的发展,OTDM不失为一种良好的提高速率和容量的主要可选方案。大容量光纤通信系统和超速光信息处理都离不开能够产生高重复率的超短相干光脉冲的光源。半导体激光器由于快速的响应、宽的增益带宽以及优异的电学可控性,所以已经成为光纤通信的首选光源。

锁模半导体激光器(MLLD)具有重复频率高,脉宽窄,波长可精确控制,转换效率高,稳定性好,驱动电源简单,体积小,重量轻,功耗低,价格低廉,易集成等优点。其中,采用多量子阱技术和锁模技术的半导体激光器以其极低阈值电流、较高的转换效率、较高的输出功率、易集成、使用寿命长等优势成为关注的焦点,在众多超高速超短脉冲光源中脱颖而出。量子点锁模半导体激光器近几年成为了一个研究热点。其量子点作为可饱和吸收介质(QD Absorber),有着超快的载流子动力学(例如文章E.U.Rafailov,“Mode-locked quantum-dot lasers”Nature Photonics Vol.7,July 2007,395.)。量子点的三维限域效应和量子点的光谱增宽是Inhomogeneous增宽决定了量子点内部的载流子动力过程是带内Intraband过程。因此,与量子阱锁模激光器相比,量子点激光器表现出了稳定的锁模,而且量子点的超宽增益和吸收谱线也对窄脉冲的产生有明显的优势,使得锁模量子点激光器的脉冲可短于400飞秒。但从增益的角度来说,量子点激光器输出功率比量子阱相对要小。

发明内容

本发明的目的在于,提供一种含量子点与量子阱混合结构的高功率的皮秒/亚皮秒锁模半导体激光器。这一结构把普通的量子点锁模半导体激光器的量子点增益介质换成量子阱增益介质(QW Gain Material)来实现高功率的输出。其研究结构如下:

本发明所设计的高功率量子点-量子阱集成或混合结构皮秒/亚皮秒锁模半导体激光器,从下往上顺次由下电极、衬底、下分离限制层、波导层、上分离限制层、盖层、SiO2电流隔离层、上电极构成,其特征在于,波导层含有量子点-量子阱混合区。

该量子点-量子阱混合结构之一见附图1。具体如下:

芯片呈两区式波导结构,由饱和吸收区101(SA)和增益区102(GS)两部分组成;

增益区102的有源层为量子阱104结构,该量子阱结构可以是单量子阱,也可以是多量子阱;

饱和吸收区101的有源层为量子点103结构,该量子点结构可以是单层多量子点,也可以是多层多量子点。饱和吸收区101的特性就是对强光损耗小,弱光损耗大,这样能窄化光脉冲,该量子点103结构可以提高饱和吸收区101的快速吸收恢复效应,以便进一步压缩脉冲宽度;

饱和吸收区101的电流注入区105和增益区102的电流注入区106相互隔离;

饱和吸收区101和增益区102之间存在几百到几千欧姆的阻值;

在增益区102注入正向电流,激光二极管表现其增益特性;在可饱和吸收区101的量子点103上加反向偏压会呈现可饱和吸收特性,形成被动锁模机制。饱和吸收区锁模机制的形成具体有以下三个阶段:(a)线性放大阶段,饱和吸收体对强光损耗小,弱光损耗大,有选择的对强脉冲进行放大,使光脉冲变窄;(b)非线性吸收阶段,强脉冲饱和,饱和吸收体进入非线性吸收过程,有选择的对符合条件的脉冲进行放大,进一步窄化脉冲;(c)非线性放大阶段,饱和吸收体饱和,增益介质也饱和,这样脉冲前后沿经较大损耗逐渐削弱,导致脉宽进一步变窄。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院福建物质结构研究所,未经中国科学院福建物质结构研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210073343.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top