[发明专利]基于量子点-量子阱混合结构的锁模半导体激光器无效
| 申请号： | 201210073343.1 | 申请日： | 2012-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN102593720A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 苏辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/20;H01S5/343 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 量子 混合结构 半导体激光器 | ||
【权利要求书】：
1.一种锁模半导体激光器，含有上电极层、下电极层和波导层结构，其特征在于：波导层含有量子点-量子阱混合区。
2.如权利要求1所述的锁模半导体激光器，其特征在于：所述量子点-量子阱混合区，是在材料生长方向上，分为量子阱层和量子点层，量子点层位于量子阱层之上。
3.如权利要求1所述的锁模半导体激光器，其特征在于：所述量子点-量子阱混合区，是在垂直于材料生长方向上，分为量子阱区和量子点区。
4.如权利要求3所述的锁模半导体激光器，其特征在于：所述量子点-量子阱混合区，含有多个量子阱区和量子点区。
5.如权利要求3或4所述的锁模半导体激光器，其特征在于：所述的量子点区和量子阱区的上电极是分开的，中间有电极隔离条区。
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