[发明专利]氮化硅的热化学气相沉积

权利要求书

1.一种用以在半导体基材上以低温沉积膜的设备，包括：

处理室本体和室盖，该处理室本体和室盖界定出处理区；

基材托架，配置在该处理区中；

气体输送系统，装配在该室盖上，该气体输送系统包括转接环和两个折流板，该转接环和两个折流板界定出气体混合区，该气体输送系统还包括直接与该转接环接触的面板；以及

加热元件，配置对该转接环加热。

2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，该些折流板中的一个被固定至该室盖并且另一个折流板被固定至该转接环。

3.如权利要求1所述的设备，其特征在于，该加热元件直接接触该转接环。

4.如权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括狭缝阀衬垫，部分填充该处理室本体中的狭缝阀通道。

5.如权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括环绕该基材托架的排气抬升板及位于该排气抬升板上的盖板，其中该盖板有多个足额分配的孔。

6.如权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括气化器，与该混合区互相流通。

7.如权利要求6所述的设备，其特征在于，该气化器是与双(第三-丁基胺)硅烷的供应源互相流通。

8.一种用以在半导体基材上以低温沉积膜的设备，包括：

处理室本体和室盖，该处理室本体和室盖界定出处理区；

第一折流板，固定至该室盖；

转接环，固定至该室盖；

加热元件，与该转接环接触；

第二折流板，固定至该转接环；

面板，与该转接环接触；以及

基材托架，配置在该处理区中。

9.如权利要求8所述的设备，其特征在于，还包括环绕该基材托架的排气抬升板及位于该排气抬升板上的盖板，其中该盖板有多个足额分配的孔。

10.如权利要求8所述的设备，其特征在于，还包括气化器，与该混合区互相流通。

11.如权利要求10所述的设备，其特征在于，该气化器与双(第三-丁基胺)硅烷的供应源互相流通。

12.如权利要求10所述的设备，其特征在于，该气化器与承载气体系统互相流通。

13.如权利要求8所述的设备，其特征在于，还包括狭缝阀衬垫，部分填充该处理室本体中的狭缝阀通道。

14.如权利要求13所述的设备，其特征在于，该基材托架位于该面板下方而该面板位于该些折流板的下方。

15.一种用于在基材上沉积包含硅和氮的层的方法，包括：

使双(第三-丁基胺)硅烷气化；

使该双(第三-丁基胺)硅烷流入处理室内，该处理室具有由转接环和至少两个折流板所界定的混合区；

对该转接环加热；

使该双(第三-丁基胺)硅烷流经加热的面板而进入基材上方的处理区。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，还包括在温度550℃至800℃下沉积该氮化硅层。

17.如权利要求15所述的方法，其特征在于，还包括在压力10至350Torr下沉积该氮化硅层。

18.如权利要求15所述的方法，其特征在于，该双(第三-丁基胺)硅烷在进入该混合区之前先与氨、氮、联胺、氦、氢、锗烷或上述的混合物混合。

19.如权利要求15所述的方法，其特征在于，该加热的面板和该基材的间距介于675-850密耳之间。

20.如权利要求15所述的方法，其特征在于，还包括将该面板的温度维持在100℃至350℃之间。

21.如权利要求20所述的方法，其特征在于，还包括将该面板与该室的盖进行热隔离。

22.一种用于在基材上沉积包含硅和氮的层的方法，包括：

将包含双(第三-丁基胺)硅烷和承载气体的气体混合物流入处理室，该处理室具有由盖、转接环以及至少一个折流板界定的混合区，其中该转接环将至少一个折流板与该盖热隔离；

加热该转接环；

将该气体混合物流经加热的气体分配板进入基材上方的处理区；以及

将该基材加热以沉积该包含硅和氮的层。