[发明专利]像素结构、其驱动方法及使用其的自发光显示器有效
申请号: | 201210067729.1 | 申请日: | 2012-03-12 |
公开(公告)号: | CN102593151A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 张华罡;蔡宗廷 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/33;G09G3/32 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 驱动 方法 使用 发光 显示器 | ||
技术领域
本发明是有关于一种自发光显示器的像素结构,且特别是有关于一种同步显示的自发光显示器的像素结构、其驱动方法及使用其的自发光显示器。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)依驱动方式可分为被动式矩阵驱动(Passive Matrix OLED,PMOLED)与主动式矩阵驱动(Active Matrix OLED,AMOLED)两种。PMOLED是当数据未写入时并不发光,只在数据写入期间发光。这种驱动方式结构简单、成本较低、较容易设计,早期的业者皆朝此技术发展。主要应用于中小尺寸的显示器。
AMOLED与PMOLED最大的差異在于每一像素皆有一电容储存数据,让每一像素皆维持在发光状态。由于AMOLED耗电量明显小于PMOLED,加上其驱动方式适合发展大尺寸与高解析度的显示器,使得AMOLED成为未来发展的主要方向。如图6所示,其为AMOLED面板中的一个像素结构。在此像素结构中包含了两个晶体管TR1与TR2、一个储存电容CS以及发光元件O1。只有在数据要被写入这个像素结构的时候,控制信号Scan N才会使晶体管TR1导通,并将数据信号的电位Vdata导入晶体管TR2的控制端,之后再调整控制信号Scan N以使晶体管TR1被截止,并利用之前数据信号电位Vdata被导入之后储存在储存电容CS两端的电压来控制晶体管TR2的导通程度,进而控制流经发光元件O1的电流量。
虽然AMOLED具有省电、适合大尺寸与全彩化的应用,但是却也延伸出许多设计上的问题。例如OLED本身或做为开关或驱动元件之用的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)的材料特性的变异与材料老化程度不同而造成面板显示的不均匀就是一个相当严重的问题。过去也已经有许多相关的文献提出不同的补偿电路来改善这方面的问题,主要分为电压式与电流式兩种方法。
然而,随着三度空间(three-dimension,3D)立体显示装置的需求上升,传统的非同步(non-simultaneously)显示方式因为容易使左右眼画面间互相产生干扰,所以厂商另外设计出同步(simultaneously)显示方式。在同步显示方式中,显示数据被依序提供到各像素结构中,并在最后才一起发光以显示对应的内容。
然而,先前提出的各种补偿电路仅能应用在非同步显示方式中,没办法适用于新的同步显示方式。因此,如何对采用同步显示方式的显示面板进行相关的显示均匀性的补偿,就成了一个重要的课题。
发明内容
本发明的目的之一就是在提供一种自发光显示器的像素结构,其可适用于使用同步与非同步显示方式的显示面板。
本发明的再一目的是提供一种像素结构的驱动方法,其可驱动上述像素结构,并在各类显示面板中进行显示补偿。
本发明的又一目的是提供一种自发光显示器。
本发明提出一种自发光显示器的像素结构,其电性耦接至数据线、第一与第二电压源线以及第一、第二与第三控制信号线。此像素结构包括:第一至第四晶体管、第一与第二电容以及发光元件。各晶体管分别具有第一端、第二端与控制端。其中,第一晶体管的第一端电性耦接至数据线,第一晶体管的控制端电性耦接至第一控制信号线;第二晶体管的第一端电性耦接至第一电压源,第二晶体管的控制端电性耦接至第二控制信号线;第三晶体管的第一端电性耦接至第二晶体管的第二端,第三晶体管的控制端电性耦接至第一晶体管的第二端;第四晶体管的第一端电性耦接至第三晶体管的第二端,第四晶体管的控制端电性耦接至第三控制信号线;第一电容的一端电性耦接至第一晶体管的第二端,另一端电性耦接至第三晶体管的第一端;第二电容的一端电性耦接至第三晶体管的第一端,另一端电性耦接至第一电压源线;发光元件的一端电性耦接至第四晶体管的第二端,另一端则电性耦接至第二电压源线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的