[发明专利]一种中红外激光器的制备方法

权利要求书

1.一种中红外激光器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)制备氧化硅光栅层：利用等离子体增强化学气相沉积法在器件表面生长一层氮化硅薄膜；利用全息曝光的方法在氮化硅薄膜上制备全息光栅掩膜；采用反应离子刻蚀的方法将光栅图形转移到氮化硅膜上，形成了一层氮化硅的光栅掩膜；

(2)在有台面的位置上制备反馈光栅：选择和台面结构相似的光刻版图，在氮化硅的光栅掩膜上制备光刻胶掩膜图形，并在氮化硅的光栅掩膜上制备光栅刻蚀窗口；利用氮化硅和光刻胶双层掩膜，通过ICP刻蚀的方法在器件表面制备光栅，使得光栅完全覆盖在器件所要制备台面的位置上；

(3)制备激光器台面。

2.根据权利要求1所述的中红外激光器的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)全息曝光方法通过全息曝光系统完成，所述全息曝光系统包括透镜、空间滤波器、衬底片和高反镜；进入全息曝光系统的单色光经透镜汇聚，然后经过空间滤波器扩束，扩束后的单色光经透镜形成平行光束；一部分平行光直接入射到需要制备全息光栅的衬底片上，另一部分平行光入射到高反镜上，再反射到衬底上，这两束平行光之间发生干涉并在涂有光刻胶的衬底片上形成明暗相间的干涉条纹实现曝光，曝光后的光掩膜通过显影形成全息光栅掩膜。

3.根据权利要求2所述的中红外激光器的制备方法，其特征在于，所述衬底上涂覆的光刻胶由光刻胶S6809和稀释液E2以体积比1∶2的比例配制而成，采用的显影液由显影剂MF320与去离子水以体积比2∶1配制而成。

4.根据权利要求1所述的中红外激光器的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中制备激光器台面还包括以下子步骤，先去除氮化硅薄膜，再涂覆光刻胶掩膜，通过普通光刻的方法将台面图形制作在光刻胶上，台面图形与表面光栅对准，再通过湿法腐蚀的方法将台面图形转移到器件上。

5.根据权利要求4所述的中红外激光器的制备方法，其特征在于，所述湿法腐蚀采用的腐蚀液为由HBr、HNO₃和H₂O按体积比1∶1∶8的比例配置而成。