[发明专利]制造发光元件阵列的方法

权利要求书

1.一种制造发光元件阵列的方法，包含：

提供基板；

形成发光叠层于该基板之上，其中该发光叠层包含：

第一半导体层，位于该基板之上；

发光层，位于该第一半导体层之上；及

第二半导体层，位于该发光层之上；

形成至少一沟槽于该基板之上，其中该沟槽曝露部分该基板，并将该发光叠层分隔成至少一第一发光元件与第二发光元件；及

形成绝缘层于该发光叠层与该沟槽之上，该沟槽的宽度不大于两倍的该绝缘层的厚度。

2.如权利要求1所述的制造发光元件阵列的方法，还包含：

移除部分该第一发光元件与该第二发光元件的该第二半导体层与该发光层以曝露部分该第一半导体层；

于各该第二半导体层之上形成第二电极；及

于各该暴露的第一半导体层之上形成第一电极。

3.如权利要求1所述的制造发光元件阵列的方法，其中该绝缘层封闭该沟槽以于该沟槽之中形成至少一空洞。

4.如权利要求1所述的制造发光元件阵列的方法，其中形成该绝缘层的方法是选自电子束蒸镀法、溅镀法与等离子体增强化学气相沉积法所构成的群组。

5.如权利要求1所述的制造发光元件阵列的方法，在形成该绝缘层于该发光叠层与该沟槽之上之后，还包含形成电连接线于该绝缘层之上。

6.如权利要求5所述的制造发光元件阵列的方法，其中形成该电连接线的方法是选自物理气相沉积法、化学气相沉积法、化学镀、电镀所构成的群组。

7.如权利要求6所述的制造发光元件阵列的方法，其中该化学气相沉积法为有机金属化学气相沉积法和等离子体增强化学气相沉积法。

8.如权利要求6所述的制造发光元件阵列的方法，其中该物理气相沉积法为电子束蒸镀法。

9.如权利要求1所述的制造发光元件阵列的方法，还包含：

形成次沟槽于该沟槽。

10.如权利要求9所述的制造发光元件阵列的方法，其中该次沟槽的宽度不大于两倍的该绝缘层的厚度。