[发明专利]选择性金属化基底的方法以及根据该方法制备的电路板

权利要求书

1.选择性金属化具有由容纳或承载添加剂的塑料组成的主要材料成分的基底的方法，其中在待金属化区域内借助烧蚀法蚀刻基底近表面层，其特征在于，塑料含有作为添加剂的至少一种选自包含铝硅酸盐，尤其是架状铝硅酸盐的物质组的化合物；和通过烧蚀法在塑料表面的待金属化区域内实现对塑料中所纳入的铝硅酸盐的可接触性和铝硅酸盐的孔或孔结构的开放，以便实现贵金属，尤其是钯的嵌入；并最后进行无外电流的金属化，其中起初在孔或孔结构内部的金属也沉积在孔的外边缘区域，从而在基底的表面上形成平面金属化层。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于，对于烧蚀法使用电磁辐射，尤其是激光辐射。

3.根据权利要求2的方法，其特征在于，电磁辐射或者激光的波长为介于193nm和10,600nm之间的范围，优选介于350nm和1,100nm之间的范围。

4.根据前述权利要求至少一项的方法，其特征在于，所使用的铝硅酸盐的开放孔的孔直径为至少大于参与嵌入反应的反应物的动力学直径。

5.根据前述权利要求至少一项的方法，其特征在于，添加剂的含量按塑料的总混合物计，为介于1和40重量百分比之间，优选介于2和30重量百分比之间。

6.根据前述权利要求至少一项的方法，其特征在于，所述塑料是热塑性或热固性塑料。

7.根据前述权利要求至少一项的方法，其特征在于，金属化在化学还原性金属浴(铜浴)中通过化学作用进行。

8.根据前述权利要求至少一项的方法，其特征在于，将热塑性塑料制成注塑形式或线料挤出形式或薄膜形式。

9.根据前述权利要求至少一项的方法，其特征在于，热固性塑料作为压制材料存在或以流体形式存在。

10.根据前述权利要求至少一项的方法，其特征在于，所述塑料除所述添加剂以外还可含有一种或多种其它无机或有机添加剂。

11.根据权利要求10的方法，其特征在于，所述的其它添加剂在红外、绿和/或紫外波长范围包含最大吸收并且提高塑料的吸收度。

12.根据前述权利要求至少一项的方法，其特征在于，离子型或胶体型贵金属的物质转移在塑料基质中的选择性暴露的孔结构中进行，并在那里按照已知的连续反应开始化学铜沉积。

13.根据前述权利要求至少一项的方法，其特征在于，使用钯或钯化合物作为贵金属。

14.根据前述权利要求至少一项的方法，其特征在于，其用于制造三维电路板(MID)。

15.具有在基底上金属化的电路板，其采用根据前述权利要求至少一项的方法制造。