[发明专利]双位氮化硅只读存储器制造方法及双位氮化硅只读存储器

权利要求书

1.一种双位氮化硅只读存储器制造方法，其特征在于包括：

在硅片上形成底层氧化硅层；

在所述底层氧化硅层上形成氮化硅层；

在所述氮化硅层上形成阻挡氧化硅层；

在所述阻挡氧化硅层上形成控制栅层；

其中，所述氮化硅层包括富硅氮化硅层、以及位于富硅氮化硅层两侧的分别靠近源极和漏极的两个渐变氮化硅层，并且其中，在所述两个渐变氮化硅层中，在从所述底部氧化层到所述阻挡氧化层的方向上，硅含量逐渐减少，而氮含量逐渐增大。

2.根据权利要求1所述的双位氮化硅只读存储器制造方法，其特征在于，在所述底层氧化硅层上形成氮化硅层的步骤中，通过控制含硅和含氮气体的比率和流速来实现不同硅含量和氮含量氮化硅层。

3.根据权利要求1或2所述的双位氮化硅只读存储器制造方法，其特征在于，在所述底层氧化硅层上形成氮化硅层的步骤中，通过初始地设置SiH₂Cl₂/NH₃＝2.07以在所述两个渐变氮化硅层底部形成一层富硅氮化硅层，然后逐渐减小SiH₂Cl₂/NH₃的值，并且在形成最顶层的富氮氮化硅层时使得SiH₂Cl₂/NH₃＝0.1。

4.根据权利要求1或2所述的双位氮化硅只读存储器制造方法，其特征在于，所述富硅氮化硅层的硅含量和/或氮含量是均匀的。

5.根据权利要求1或2所述的双位氮化硅只读存储器制造方法，其特征在于还包括：在衬底上以及源极和漏极。

6.根据权利要求1或2所述的双位氮化硅只读存储器制造方法，其特征在于还包括：在栅极两侧形成氧化硅侧墙。

7.一种根据权利要求1至6之一所述的双位氮化硅只读存储器制造方法制成的双位氮化硅只读存储器，其特征在于包括：布置在衬底上的源极、漏极和栅极，其中所述栅极包括底层氧化硅层、布置在所述底层氧化硅层上的氮化硅层、布置在所述氮化硅层上的阻挡氧化硅层、以及布置在所述阻挡氧化硅层上的控制栅层；其中，所述氮化硅层包括富硅氮化硅层、以及位于富硅氮化硅层两侧的分别靠近源极和漏极的两个渐变氮化硅层；其中，在所述两个渐变氮化硅层中，在从底部氧化层到阻挡氧化层的方向上，硅含量逐渐减少，而氮含量逐渐增大。

8.根据权利要求7所述的双位氮化硅只读存储器，其特征在于，所述富硅氮化硅层的硅含量和/或氮含量是均匀的。