[发明专利]一种读灵敏放大器比较电路

权利要求书

1.一种读灵敏放大器比较电路，包括：比较器；存储器单元电路、钳位电路、第一、第二钳位电路、第一、第二电流转换电压电路；

其特征在于，还包括：

第一电流源产生电路，输出端连接所述第一钳位电路及存储器单元电路；

第二电流源产生电路，输出端连接所述第二钳位电路及参考单元电路；

所述第一电流转换电压电路连接在地和第一钳位电路之间，所述第二电流转换电压电路连接在地和第二钳位电路之间；

所述比较器的一个输入端连接所述第一电流转换电压电路和所述第一钳位电路之间的连接点，另一个输入端连接所述第二电流转换电压电路和所述第二钳位电路的连接点。

2.如权利要求1所述的读灵敏放大器比较电路，其特征在于，所述第一钳位电路包括：

第一钳位管、用于为所述第一钳位管提供偏置电压的第一偏置电路；

所述第一钳位管为一P型MOS管，该P型MOS管的栅极连接所述第一偏置电路，源极连接所述第一电流源产生电路的输出端，漏极连接所述第一电流转换电压电路。

3.如权利要求2所述的读灵敏放大器比较电路，其特征在于，所述第一偏置电路包括：

一个P型MOS管和一个N型MOS管，该P型MOS管和N型MOS管的共漏点连接所述第一钳位管的栅极；

所述P型MOS管的源极接高电平，栅极连接第一偏置电压；

所述N型MOS管的源极接地，栅极连接所述第一钳位管的源极。

4.如权利要求2所述的读灵敏放大器比较电路，其特征在于：

所述第一电流转换电压电路为连接在所述第一钳位管漏极和地之间的第一负载。

5.如权利要求4所述的读灵敏放大器比较电路，其特征在于：

所述第一负载包括一个二极管连接形式的N型MOS管；该第一负载中的N型MOS管的源极接地，漏极和栅极与所述第一钳位管的漏极相连。

6.如权利要求1所述的读灵敏放大器比较电路，其特征在于，所述第二钳位电路包括：

第二钳位管、用于为所述第二钳位管提供偏置电压的第二偏置电路；

所述第二钳位管为一P型MOS管，该P型MOS管的栅极连接所述第二偏置电路，源极连接所述第二电流源产生电路的输出端，漏极连接所述第二电流转换电压电路。

7.如权利要求6所述的读灵敏放大器比较电路，其特征在于，所述第二偏置电路包括：

一个P型MOS管和一个N型MOS管，该P型MOS管和N型MOS管的共漏点连接所述第二钳位管的栅极；

所述P型MOS管的源极接高电平，栅极连接第二偏置电压；

所述N型MOS管的源极接地，栅极连接所述第二钳位管的源极。

8.如权利要求6所述的读灵敏放大器比较电路，其特征在于：

所述第二电流转换电压电路为连接在所述第二钳位管漏极和地之间的第二负载。

9.如权利要求8所述的读灵敏放大器比较电路，其特征在于：

所述第二负载包括一个二极管连接形式的N型MOS管；该第二负载中的N型MOS管的源极接地，漏极和栅极与所述第二钳位管的漏极相连。

10.如权利要求1到9中任一项所述的读灵敏放大器比较电路，其特征在于：

所述第一钳位电路用于将所述第一电流源产生电路的输出端的电压钳位在0.8V～1.2V之间；所述第二钳位电路用于将所述第二电流源产生电路的输出端的电压钳位在0.8V～1.2V之间。

11.如权利要求1到9中任一项所述的读灵敏放大器比较电路，其特征在于，所述存储器单元电路包括：

行译码电路、列译码电路、连接在列译码电路和地之间的电容；

存储器单元，为一浮栅型MOS存储器件，控制栅极连接所述行译码电路，源极接地，漏极通过所述列译码电路连接所述第一钳位电路、第一电流源产生电路及所述电容；

所述参考单元电路包括：

参考单元，为一浮栅型MOS存储器件，源极接地，控制栅极连接行参考电压；

列译码管，为一N型MOS管，源极与所述参考单元的漏极相连，栅极连接列参考电压，漏极连接所述第二钳位电路及第二电流源产生电路。

12.如权利要求1到9中任一项所述的读灵敏放大器比较电路，其特征在于，所述第一、第二电流源产生电路各包括：

一个P型MOS管，栅极连接第三偏置电压，源极连接电压源，漏极作为输出端。