[发明专利]利用含硅掩模形成沟渠的方法

权利要求书

1.一种利用含硅掩模形成沟渠的方法，其特征在于包括：

形成一基底，并且一含硅掩模覆盖在所述的基底上；

注入抗蚀刻掺质到所述含硅掩模，使得所述含硅掩模变成一抗蚀掩模；

图案化所述基底和所述抗蚀掩模，而形成至少一沟渠；

形成一含硅材料层填满所述的沟渠；及

用所述抗蚀掩模当作掩模，蚀刻部分所述含硅材料层。

2.根据权利要求1所述的利用含硅掩模形成沟渠的方法，其特征在于所述的含硅掩模包括多晶硅。

3.根据权利要求1所述的利用含硅掩模形成沟渠的方法，其特征在于所述的含硅材料层包括多晶硅。

4.根据权利要求1所述的利用含硅掩模形成沟渠的方法，其特征在于所述含硅掩模和所述含硅材料层是利用相同材料制作。

5.根据权利要求1所述的利用含硅掩模形成沟渠的方法，其特征在于所述抗蚀刻掺质包括硼化合物。

6.根据权利要求1所述的利用含硅掩模形成沟渠的方法，其特征在于所述抗蚀刻掺质包括氟化硼。

7.根据权利要求1所述的利用含硅掩模形成沟渠的方法，其特征在于利用一干蚀刻工艺来图案化所述基底和所述抗蚀掩模。