[发明专利]管内镀膜设备及镀膜技术

权利要求书

1.管内镀膜设备及镀膜技术，其特征在于：采用磁控溅射镀膜技术，以被镀管的管壁为真空腔的侧壁，两端进行真空密封，并设置排气口和充气管道；放电阴极为圆柱状，与被镀管同轴设置，其内部水冷，但不在其中设置磁体，阴极外表面设置圆柱靶材，与阴极紧配合，或者阴极外表面直接作为靶材；磁体设置在被镀管的外部，即处于大气中。

2.根据权利要求1所述的管内镀膜设备及镀膜技术，其特征在于：所述的磁体为空心圆柱结构，与被镀管同轴设置，产生轴向磁场，镀膜过程中磁体沿轴向移动。

3.根据权利要求1所述的管内镀膜设备及镀膜技术，其特征在于：所述的磁体为长跑道形结构，磁体长度与被镀管长度相当，除两端外，产生基本与轴向垂直的磁场，镀膜过程中，磁体整体绕被镀管旋转，旋转轴与被镀管中心轴线相同。

4.根据权利要求1、2和3所述的管内镀膜设备及镀膜技术，其特征在于：如果被镀管为没有磁性的金属管，则被镀管为阳极。

5.如果被镀管为绝缘管，则被镀管内与轴向平行设置细杆状或细管状金属阳极1根或多根。

6.根据权利要求4所述的管内镀膜设备及镀膜技术，其特征在于：所述的细管状金属阳极可同时作为充气管道，不再另外设置充气管道；在细管状阳极侧壁上开进气孔。

7.根据权利要求1、2所述的管内镀膜设备及镀膜技术，其特征在于：采用直流磁控溅射、射频磁控溅射或脉冲磁控溅射在被镀管内壁上沉积薄膜，改变空心圆柱形磁体的半径，调整阴极表面附近磁场强度；沉积过程中，磁体沿轴线移动，放电区域也跟着移动，薄膜被均匀镀制在被镀管的内表面上。

8.根据权利要求1、3所述的管内镀膜设备及镀膜技术，其特征在于：采用直流磁控溅射、射频磁控溅射或脉冲磁控溅射在被镀管内壁上沉积薄膜，调整磁体与被镀管外表面的间距，使得横向磁场最强处位于阴极表面附近；沉积过程中，磁体绕被镀管匀速旋转，放电区域也跟着旋转，薄膜被均匀镀制在被镀管的内表面上。