[实用新型]直流电源降压型转换器的半导体封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体封装结构，尤指一种直流电源降压型转换器的半导体封装结构。

背景技术

在电信通信及电脑等消费性电子产品的蓬勃发展下，广泛应用于其上的电源供应器及电源转换器重要性也随之增加，不仅在体积重量上要轻薄短小，在效能及使用寿命上也要更好更长。

目前的电源转换器，主要包含两个串联的功率场效应晶体管以及一个控制回路晶粒，大多设计将所有的元件平面铺设在同一单芯片上或使用多个芯片组合但最后皆封装于同一个封装引线框架(Lead Frame，基底)上。如中国台湾发明专利公开第201030938号，披露一种电压转换器，包含一个具有可形成在单一晶粒引线框架上的一个高侧的元件以及一个低侧的元件的输出电路。该高侧的元件可包含一个横向扩散的金属氧化物半导体(Laterally diffused metal oxide semiconductor，简称LDMOS)，而该低侧的元件可包含一个平面垂直扩散的金属氧化物半导体(Vertical diffused metal oxide semiconductor，简称VDMOS)。该电压转换器可进一步包含在一个不同的晶粒上的一个控制器电路，其可电耦接至该功率晶粒并且与该功率晶粒共同封装。

在中国台湾新型专利公告第520107号中，则披露一种单相降压型直流电源转换器整合式封装构造，其中该电源转换器包括有稳压用两个串联的垂直式功率场效应晶体管；其中，连接于各这些晶体管漏极的各导线架的多个漏极接脚，是以各该导线架的金属导电基材采用内部连结形成，而扩大漏极在各该导线架上的漏极接脚区域。并且，以连接于其中之一晶体管源极导线架接脚的金属导电基材，采用内部连结串接另一导线架上用于连接另一晶体管漏极的扩大漏极接脚区域。如此，不但使功率场效应晶体管提升散热效果，降低焊接接脚阻抗值，还可省略晶体管间串接，及部分导线架与外部接脚连结的金属线。

然而，上述将两个功率场效应晶体管以平面式铺设的技术，使得该电压(或电源)转换器的面积无法有效的缩减，进而无法减少晶粒底基的使用，应用于较小的模块板降低生产成本。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于解决已知的电源转换器无法有效缩减元件面积、降低生产成本的问题。

经由以上可知，为达上述目的，本实用新型提供一种直流电源降压型转换器的半导体封装结构，包含有一封装引线框架、一控制回路元件、一第一金属氧化物半导体场效应晶体管及一第二金属氧化物半导体场效应晶体管。该控制回路元件设置于该封装引线框架上，该第一金属氧化物半导体场效应晶体管设置于该封装引线框架上，并与该控制回路元件电性连接，而该第二金属氧化物半导体场效应晶体管堆叠于该第一金属氧化物半导体场效应晶体管远离该封装引线框架的一侧，并与该控制回路元件电性连接。

进一步地，第一金属氧化物半导体场效应晶体管为一水平式金属氧化物半导体场效应晶体管。

进一步地，第二金属氧化物半导体场效应晶体管为一垂直式金属氧化物半导体场效应晶体管。

进一步地，第二金属氧化物半导体场效应晶体管与第一金属氧化物半导体场效应晶体管串联。

进一步地，第一金属氧化物半导体场效应晶体管及第二金属氧化物半导体场效应晶体管均为N型金属氧化物半导体场效应晶体管。

进一步地，第二金属氧化物半导体场效应晶体管具有一与第一金属氧化物半导体场效应晶体管相邻的第二底部及一位于第二底部的第二漏极，第二漏极与第一金属氧化物半导体场效应晶体管具有的一第一源极电性连接。

进一步地，第二金属氧化物半导体场效应晶体管具有一远离第一金属氧化物半导体场效应晶体管的第二顶部及一位于第二顶部的第二源极，第二源极接地。

进一步地，第二金属氧化物半导体场效应晶体管具有一与控制回路元件电性连接的第二栅极。

进一步地，第一金属氧化物半导体场效应晶体管为P型金属氧化物半导体场效应晶体管，第二金属氧化物半导体场效应晶体管为N型金属氧化物半导体场效应晶体管。

进一步地，第一金属氧化物半导体场效应晶体管为N型金属氧化物半导体场效应晶体管，第二金属氧化物半导体场效应晶体管为P型金属氧化物半导体场效应晶体管。

进一步地，第二金属氧化物半导体场效应晶体管与第一金属氧化物半导体场效应晶体管之间由一导电胶连接。

如此一来，本实用新型通过该第二金属氧化物半导体场效应晶体管堆叠于该第一金属氧化物半导体场效应晶体管上方，至少具有下列优点：