[实用新型]直流电源降压型转换器的半导体封装结构

权利要求书

1.一种直流电源降压型转换器的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包含有：

一封装引线框架；

一控制回路元件，所述控制回路元件设置于所述封装引线框架上；

一第一金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管设置于所述封装引线框架上，并与所述控制回路元件电性连接；以及

一第二金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管堆叠于所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的远离所述封装引线框架的一侧，并与所述控制回路元件电性连接。

2.根据权利要求1所述的直流电源降压型转换器的半导体封装结构，其特征在于，所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管为一水平式金属氧化物半导体场效应晶体管。

3.根据权利要求1所述的直流电源降压型转换器的半导体封装结构，其特征在于，所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管为一垂直式金属氧化物半导体场效应晶体管。

4.根据权利要求1所述的直流电源降压型转换器的半导体封装结构，其特征在于，所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管与所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管串联。

5.根据权利要求1所述的直流电源降压型转换器的半导体封装结构，其特征在于，所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管及所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管均为N型金属氧化物半导体场效应晶体管。

6.根据权利要求5所述的直流电源降压型转换器的半导体封装结构，其特征在于，所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管具有一与所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管相邻的第二底部及一位于所述第二底部的第二漏极，所述第二漏极与所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管具有的一第一源极电性连接。

7.根据权利要求5所述的直流电源降压型转换器的半导体封装结构，其特征在于，所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管具有一远离所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的第二顶部及一位于所述第二顶部的第二源极，所述第二源极接地。

8.根据权利要求5所述的直流电源降压型转换器的半导体封装结构，其特征在于，所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管具有一与所述控制回路元件电性连接的第二栅极。

9.根据权利要求1所述的直流电源降压型转换器的半导体封装结构，其特征在于，所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管为P型金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管为N型金属氧化物半导体场效应晶体管。

10.根据权利要求1所述的直流电源降压型转换器的半导体封装结构，其特征在于，所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管为N型金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管为P型金属氧化物半导体场效应晶体管。

11.根据权利要求1所述的直流电源降压型转换器的半导体封装结构，其特征在于，所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管与所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管之间由一导电胶连接。