[发明专利]萧基晶体管装置的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及萧基晶体管装置的技术领域，特别涉及一种可以避免漏电流现象的萧基晶体管装置的制作方法。

背景技术

萧基晶体管装置是一种适用在高频整流的晶体管。对应PN接面晶体管，萧基晶体管的接面不是PN接面，其接面是半导体(通常是N型)与金属，例如金、银或铂等等所构成的金属/半导体接面。因为金属/半导体接面主要以多数载子(majority carrier)传递电流讯号，因此在高频操作时，不会产生类似如PN接面电流讯号难以快速截止的现象。

在公知萧基晶体管装置的结构，至少具有一N型基底、一N型外延层、一环状场氧化层、一金属硅化物层、一源极导电层、和一漏极导电层。其中N型外延层借由外延工艺成长在N型基底上。环状场氧化层，例如二氧化硅，形成在N型外延层的表面上，用来定义出一有源区域。金属硅化物层形成在环状场氧化层定义出的有源区域内，而且导电层分别设置在金属硅化物层上和N型基底的底部。其中，漏极导电层与N型外延层构成一萧基接触(Schottky contact)。除此之外，被环状场氧化层覆盖的N型外延层中还可以有P型保护环(guard ring)结构，用来电性绝缘两相邻的装置和降低在晶体管末端结构因电场聚集效应(electric field crowding)所造成的高漏电现象。

但是，上述的先前技术仍然有许多问题需要被解决。举例来说，因为外延工艺和自对准金属硅化物(Self-Aligned Silicide，salicide)工艺技术上的限制，有源区域内的N型外延层表面通常具有外延缺陷结构缺陷和形成金属硅化物时所产生的缺陷，这些缺陷是接下来工艺中形成金属硅化物与外延层接触时的缺陷来源。因为金属硅化物和外延缺陷结构间的耐压能力比一般金属/半导体接面的耐压能力差，所以当萧基晶体管装置处理电流讯号的时候，金属硅化物与外延缺陷结构所存在的区域容易产生反向漏电流的现象，使得萧基晶体管装置的耐压能力降低和漏电流上升。

所以，仍然需要改进的萧基晶体管装置的制作方法，用来解决上述漏电流的现象，使得萧基晶体管装置的电性表现和稳定性可以提升。

发明内容

本发明的目的在提供一种萧基晶体管装置的制作方法，用来解决外延缺陷结构所造成的反向漏电流的现象。

为了达到上述目的，根据本发明的一实施例，提供一种萧基晶体管装置的制作方法，包括：提供一基底，具有一第一导电型；在基底上成长一外延层，其中外延层具有第一导电型；在外延层上形成一图案化介电层；在外延层的一表面形成一金属硅化物层；在金属硅化物层上形成一掺质来源层，其特点在在掺质来源层具有第二导电型的掺质；进行一热驱入工艺，使掺质来源层内第二导电型的掺质扩散进入所述的外延层；和在金属硅化物层上形成一导电层。

根据本发明的另一实施例，提供一种萧基晶体管装置的制作方法，包括：提供一基底，具有一第一导电型；在基底上成长一外延层，其特点在在外延层具有第一导电型，且外延层具有至少一外延缺陷结构；在外延层上形成一金属硅化物层；在外延缺陷结构内形成一第二导电型的掺杂区，且掺杂区与外延层间具有一PN接面；和在金属硅化物层上形成一导电层。

本发明在萧基晶体管装置的外延层和外延缺陷结构间形成一PN接面，借由PN接面的反向耐压能力，避免外延缺陷结构产生漏电流现象，所以可以提升萧基晶体管装置的电性表现和稳定性。

为了让本发明的目的、特征和优点能更明显易懂，下文描述优选实施方式，并配合附图，详细说明如下。但优选实施方式和附图只供参考与说明，并不是用来对本发明加以限制。

附图说明

图1到图8所绘示的是根据本发明优选实施例的萧基晶体管装置的制作方法示意图。

其中，附图标记说明如下：

1    萧基晶体管装置        20    基底

20a  背面                  21    外延层

23   外延缺陷结构          24    保护环结构

28   导电层                30    有源区域

31   周边区域              52    场氧化层

53   牺牲氧化层            53a   图案化牺牲氧化层

54   氧化层                60    金属层

63   金属硅化物层          67    缓冲层