[发明专利]60伏高压LDPMOS结构及其制造方法

权利要求书

1.一种60伏高压LDPMOS结构(200)的制造方法，包括步骤：

提供P型硅衬底(201)，其上形成有N型埋层(202)，在所述P型硅衬底(201)上热生长P型外延层(203)；

在所述P型外延层(203)中高能注入N型杂质，并经高温扩散形成低浓度的高压N阱(204)，作为所述高压LDPMOS结构(200)的高压阱以及高压器件的自隔离；

在所述高压N阱(204)中高能注入P型杂质，并经高温扩散形成低浓度的漏极漂移区域(205)；

在所述高压LDPMOS结构(200)的源区附近的沟道区注入N型杂质，形成阈值电压调节区域(206)；

在所述高压LDPMOS结构(200)的源区附近的栅极下面不能形成反型层的区域注入P型杂质，形成沟道连接区域(207)；

依照标准CMOS工艺在所述P型外延层(203)上形成多个场氧化层(208)，作为低压器件与电路的隔离部分，以及作为所述高压LDPMOS结构(200)的栅极氧化层；

在所述高压LDPMOS结构(200)的所述栅极氧化层上热生长多晶硅栅并形成多晶栅极(209)；

依照标准CMOS工艺以所述多晶栅极(209)为对准层，在所述高压LDPMOS结构(200)的源区以及漏区依次图形曝光，分别形成源极(211)、漏极(212)、衬底引出端(213、214)和N阱引出端(215)。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述源极(211)、漏极(212)、衬底引出端(213、214)、N阱引出端(215)之后还包括步骤：

对所述高压LDPMOS结构(200)进行快速热处理过程。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，对所述高压LDPMOS结构(200)进行快速热处理过程之后还包括步骤：

对所述高压LDPMOS结构(200)进行接触工艺并形成后段工艺。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述接触工艺包括在所述源极(211)、漏极(212)、衬底引出端(213、214)、N阱引出端(215)上形成钛硅化物或者钴硅化物接触。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的制造方法，其特征在于，所述N型杂质为磷，所述P型杂质为硼。

6.一种60伏高压LDPMOS结构(200)，包括：

N型埋层(202)，位于P型硅衬底(201)中，所述P型硅衬底(201)上形成有P型外延层(203)；

低浓度的高压N阱(204)，位于所述N型埋层(202)之上、所述P型外延层(203)之中，作为所述高压LDPMOS结构(200)的高压阱以及高压器件的自隔离；

低浓度的漏极漂移区域(205)，位于所述高压N阱(204)中；

阈值电压调节区域(206)，位于所述高压LDPMOS结构(200)的源区附近的沟道区；

沟道连接区域(207)，位于所述高压LDPMOS结构(200)的源区附近的栅极下面不能形成反型层的区域；

多个场氧化层(208)，分布于所述P型外延层(203)的表面，作为低压器件与电路的隔离部分，以及作为所述高压LDPMOS结构(200)的栅极氧化层；

多晶栅极(209)，位于所述高压LDPMOS结构(200)的所述栅极氧化层上；

源极(211)、漏极(212)、衬底引出端(213、214)和N阱引出端(215)，分布在所述P型外延层(203)的表面，所述源极(211)位于所述沟道连接区域(207)中，所述漏极(212)位于所述漏极漂移区域(205)中，所述N阱引出端(215)位于所述阈值电压调节区域(206)中，所述衬底引出端(213、214)位于所述高压N阱(204)两侧。

7.根据权利要求6所述的高压LDPMOS结构(200)，其特征在于，所述源极(211)、漏极(212)、衬底引出端(213、214)和N阱引出端(215)上包括钛硅化物或者钴硅化物接触。