[发明专利]发光芯片、打印头和图像形成设备有效
申请号: | 201110353271.1 | 申请日: | 2011-11-09 |
公开(公告)号: | CN102709305A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 大野诚治 | 申请(专利权)人: | 富士施乐株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;B41J2/435;G03G15/04 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 芯片 打印头 图像 形成 设备 | ||
技术领域
本发明涉及发光芯片、打印头和图像形成设备。
背景技术
在诸如打印机、复印机和传真机的采用电子照相系统的图像形成设备中,利用光学记录单元,用图像信息的光照射均匀带电的感光部件来得到静电潜像,把色调剂施加到静电潜像上以使静电潜像可视化,并且把可视化的静电潜像转印和定影到记录纸上,由此形成图像。除了使用激光器作为光学记录单元并在主扫描方向上扫描激光束以进行曝光的光学扫描系统之外,响应于最近的小型化的需求,采用了使用LED打印头(LPH)的记录设备,其中在主扫描方向上排列有作为发光元件的多个发光二极管(LED)。
专利文献1公开了一种自扫描发光元件阵列,其具有这样的结构:在发光许可线(数据线)上设置有具有彼此隔开的移位部和发光部的单点SLED。发光许可线连接到驱动电路的用于许可发光的驱动输出端子,并且该驱动电路包括驱动输出端子、驱动输出端子、驱动输出端子、驱动器输出端子和背面电极输出端子。
专利文献
[专利文献1]JP-A-2001-219596
发明内容
需要提高采用了LPH(其具有多个自扫描发光器件(SLED)芯片)的记录装置中的发光芯片的速度以提高图像形成速度。
本发明的一些方面的优点是提供了一种可提高速度的发光芯片等。
根据本发明的第一方面,提供了一种发光芯片,其包括:多个发光晶闸管,其设置在衬底上并且分别包括第一阳极端子、第一阴极端子和第一栅极端子;多个置位晶闸管,其设置在所述衬底上,对应于所述多个发光晶闸管,分别具有第二阳极端子、第二阴极端子和第二栅极端子,并且分别被切换为ON状态以将相应发光晶闸管的阈值电压绝对值设置为小于OFF状态中的阈值电压绝对值;多个传输晶闸管,其设置在所述衬底上,对应于所述多个置位晶闸管,分别具有第三阳极端子、第三阴极端子和第三栅极端子,并且分别被顺序地切换为ON状态以将相应置位晶闸管的阈值电压绝对值设置为小于OFF状态中的阈值电压绝对值;多个第一连接电阻,其设置在所述衬底上,将所述多个发光晶闸管的第一栅极端子与所述多个置位晶闸管的第二栅极端子彼此连接,使得发光晶闸管和置位晶闸管彼此对应;多个第二连接电阻,其设置在所述衬底上,将所述多个置位晶闸管的第二栅极端子与所述多个传输晶闸管的第三栅极端子彼此连接,使得置位晶闸管和传输晶闸管彼此对应;以及多个第三连接电阻,其设置在所述衬底上,将所述多个发光晶闸管的第一栅极端子连接到电源线,该电源线被提供了用于提供驱动电力的电源电位。
根据本发明第二方面的发光芯片是根据第一方面的发光芯片,还包括:置位端子,其连接到所述多个置位晶闸管各自的第二阳极端子和第二阴极端子中的一方,并且被提供置位信号,该置位信号用于把阈值电压被相应传输晶闸管设置得更小的置位晶闸管切换为ON状态。
根据本发明第三方面的发光芯片是根据第二方面的发光芯片,还包括:置位使能晶闸管,其具有第四阳极端子、第四阴极端子和第四栅极端子,并且其第四阳极端子和第四阴极端子中的一方连接到所述置位端子;以及使能端子,其连接到所述置位使能晶闸管的第四栅极端子,并且被提供使能信号,该使能信号用于把置位使能晶闸管的阈值电压绝对值设置得更小,以防止所述发光晶闸管响应于所述置位信号而重新发光。
根据本发明第四方面的发光芯片是根据第一到第三方面中任意一个的发光芯片,其中当与所述多个第一连接电阻中的各个连接的所述置位晶闸管被切换到ON状态时,各个第一连接电阻的电阻值变得小于相应的置位晶闸管处于OFF状态时的电阻值。
根据本发明第五方面的发光芯片是根据第一到第四方面中任意一个的发光芯片,还包括:多个第四连接电阻,其分别将所述多个置位晶闸管的第二栅极端子连接到电源线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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