[发明专利]一种硅片刻蚀方法

权利要求书

1.一种硅片刻蚀方法，其特征在于，包括：

利用氧化溶液将硅片的待刻蚀层进行氧化；

将所述氧化后的硅片清洗后，利用氢氟酸溶液将生成的氧化层剥离；

将剥离氧化层后的硅片进行清洗；

重复执行以上步骤，直至确定所述硅片的待刻蚀层全部剥离。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，按照下述方法确定所述硅片的待刻蚀层全部剥离：

当所述硅片刻蚀后的方阻值达到目标方阻值时，确定所述硅片的待刻蚀层全部剥离，所述目标方阻值是根据待刻蚀层厚度、以及硅片扩散层厚度与方阻值的对应关系所确定的。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，按照下述方法确定所述硅片的待刻蚀层全部剥离：

当所述重复执行的次数达到预设重复执行次数时，确定所述硅片的待刻蚀层全部剥离，所述预设重复次数是根据所述硅片未刻蚀前的方阻值以及所述目标方阻值计算得出。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述重复执行以上步骤，直至所述硅片达到目标方包括：

测试所述剥离氧化层后的硅片的方阻值是否小于目标方阻值；

如果是，则返回利用氧化溶液将硅片的待刻蚀层进行氧化的步骤继续执行，直至所述剥离氧化层后的硅片达到目标方阻值。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化溶液为硝酸溶液。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述硝酸溶液浓度为65％～68％，氧化温度为60℃～70℃。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氢氟酸溶液浓度具体为20％。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用氧化溶液将待刻蚀的硅片进行氧化具体为：

将所述硅片的待刻蚀层浸于高温氧化溶液中第一预定时间，实现氧化。

9.根据权利要求1或7所述的方法，其特征在于，所述利用氢氟酸溶液将生成的氧化层剥离具体为：

将氧化后的硅片的待刻蚀部分浸于氢氟酸溶液的第二预定时间。

10.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述对硅片进行清洗具体为利用纯水清洗预设次数。