[发明专利]一种高密度四边扁平无引脚封装及制造方法

权利要求书

1.一种高密度四边扁平无引脚封装件结构，其特征在于包括：

引线框架，沿厚度方向具有台阶式结构，具有上表面、下表面和台阶表面，其中引线框架包括芯片载体、多个引脚：

芯片载体，配置于引线框架中央部位，横截面形状呈矩形状，芯片载体四边边缘部位沿厚度方向具有台阶式结构，以及

多个引脚，配置于芯片载体四周，围绕芯片载体呈多圈排列，沿厚度方向具有台阶式结构，其中每个引脚包括配置于该上表面的内引脚和配置于该下表面的外引脚；

金属材料层，配置于引线框架的上表面和下表面位置；

IC芯片，配置于引线框架上表面位置的金属材料层上，且配置于芯片载体的中央部位；

绝缘填充材料，配置于引线框架的台阶式结构下；

粘贴材料，配置于IC芯片与引线框架上表面的金属材料层中间，固定IC芯片于芯片载体上；

金属导线，IC芯片上的多个键合焊盘通过金属导线分别连接至多个配置有金属材料层的内引脚和配置有金属材料层的芯片载体的上表面；

塑封材料，包覆密封上述IC芯片、粘贴材料、金属导线、引线框架的部分区域和部分金属材料层，暴露出配置于引线框架下表面的金属材料层。

2.根据权利要求1所述一种高密度四边扁平无引脚封装件结构，其特征在于，上述引线框架具有多个围绕芯片载体呈多圈排列的引脚，排列圈数为单圈、双圈，三圈或三圈以上。

3.根据权利要求1所述的一种多圈引脚排列四边扁平无引脚封装件结构，其特征在于，多圈引脚横截面形状为圆形或矩形。

4.根据权利要求1所述的一种高密度四边扁平无引脚封装件结构，其特征在于，芯片载体每边的多圈引脚排列方式为平行排列或交错排列。

5.根据权利要求1所述的一种高密度四边扁平无引脚封装件结构，其特征在于，具有金属材料层的芯片载体和外引脚暴露出封装件结构底面，且具有凸起部分。

6.根据权利要求1所述的一种高密度四边扁平无引脚封装件结构的制造方法，其特征在于包括：

配置掩膜材料层，在薄板基材的上表面和下表面配置掩膜材料层；

形成蚀刻窗口，对薄板基材下表面的掩膜材料层进行曝光显影工艺，形成蚀刻窗口；

下表面选择性部分蚀刻，以具有蚀刻窗口的掩膜材料层作为抗蚀层，对薄板基材下表面进行选择性部分蚀刻，形成凹槽；

移除配置于薄板基材下表面的掩膜材料层；

配置绝缘填充材料，在薄板基材下表面经选择性部分蚀刻形成的凹槽中填充绝缘材料；

形成蚀刻窗口，对薄板基材上表面的掩膜材料层进行曝光显影，形成蚀刻窗口；

上表面选择性部分蚀刻，以具有蚀刻窗口的掩膜材料层作为抗蚀层，对薄板基材上表面进行选择性部分蚀刻，形成具有台阶式结构的引线框架，包括分离的芯片载体和多圈引脚；

移除掩膜材料层，移除配置于薄板基材上表面的掩膜材料层；

配置金属材料层，在形成的引线框架的上表面、下表面配置金属材料层；

配置IC芯片，通过粘贴材料将IC芯片配置于引线框架上表面的金属材料层位置，且固定于芯片载体的中央部位；

金属导线键合连接，IC芯片上的多个键合焊盘通过金属导线分别连接至多个配置有金属材料层的内引脚和配置有金属材料层的芯片载体上；

形成塑封体，用塑封材料包覆密封IC芯片、粘贴材料、金属导线、引线框架部分区域和部分金属材料层，塑封后进行烘烤后固化；

切割分离形成单个封装件，切割分离形成独立的单个封装件。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，上述配置具有窗口的掩膜材料层，通过涂布光致湿膜或者粘贴光致干膜，经感光成像制作形成。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，引线框架是以掩膜材料层为抗蚀层，对薄板基材上表面和下表面选择性部分蚀刻制作形成。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，经该蚀刻形成的分离的芯片载体和多圈引脚由绝缘填充材料连接固定。

10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，切割分离形成单个封装件，是用刀片切割、激光切割或者水刀切割方法切割，且仅切割塑封材料和绝缘填充材料。