[发明专利]基于相变存储单元的可编程双电平转换器及其实现方法

权利要求书

1.一种基于相变存储单元的可编程双电平转换器，其特征在于，包括电平转换电路（20）；四个转换电压控制电路（16、18、46、48），所述电平转换电路（20）与所述转换电压控制电路（16、18、46、48）的输出连接；所述转换电压控制电路（16、18、46、48）控制输出至所述电平转换电路（20）的高低电平；通过输入到所述电平转换电路（20）中的输入信号与所述转换电压控制电路（16、18、46、48）的输出电压实现高低电压信号的转换及输出电平的控制。

2.如权利要求1所述基于相变存储单元的可编程双电平转换器，其特征在于，所述电平转换电路（20）包括两个NMOS晶体管（2、4）、两个PMOS晶体管（6、8）、反相器（10）、低压信号输入端（24）与两个输出端（30、32）；

所述NMOS晶体管（2、4）的源极与所述转换电压控制电路（16、46）连接，所述NMOS晶体管（2）的栅极与所述低压信号输入端（24）连接，所述NMOS晶体管（4）的栅极通过所述反相器（10）与所述低压信号输入端（24）连接，所述NMOS晶体管（2）的漏极与所述输出端（30）连接，所述NMOS晶体管（4）的漏极与所述输出端（32）连接；

所述PMOS晶体管（6、8）的源极与所述转换电压控制电路（48、18）连接，所述PMOS晶体管（6）的栅极与所述输出端（30）连接，漏极与所述输出端（32）连接；所述PMOS晶体管（8）的栅极与所述输出端（32）连接，漏极与所述输出端（30）连接。

3.如权利要求1所述基于相变存储单元的可编程双电平转换器，其特征在于，所述转换电压控制电路（16、18、46、48）包括相变存储单元（36、34、52、44）、NMOS晶体管（14、12、37、42）与信号输入端（26、28、54、50）；所述相变存储单元（36、34、52、44）的一端与电源连接，另一端与所述NMOS晶体管（14、12、37、42）的漏极连接；所述NMOS晶体管（14、12、37、42）的源极接地，漏极与所述电平转换电路（20）连接，栅极与所述信号输入端（26、28、54、50）连接。

4.如权利要求3所述基于相变存储单元的可编程双电平转换器，其特征在于，所述电源（38）为高压电源。

5.如权利要求3所述基于相变存储单元的可编程双电平转换器，其特征在于，所述相变存储单元（34、36、44、52）的材料包括锗锑碲、硅锑碲、铝锑碲。

6.如权利要求3所述基于相变存储单元的可编程双电平转换器，其特征在于，所述NMOS晶体管（12、14、37、42）也可以用PMOS晶体管。

7.如权利要求1-6中任一项所述的基于相变存储单元的可编程双电平转换器的实现方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，通过控制所述转换电压控制电路（16、18、46、48）中的所述NMOS晶体管（12、14、37、42）的栅极，调节所述相变存储单元（36、34、42、44）的电流，控制所述相变存储单元（36、34、42、44）的电阻值的大小；

步骤二，控制所述电平转换电路（20）中的低压信号输入端（24）的逻辑信号，调节所述输出端（30、32）的高低电平输出。

8.如权利要求7所述基于相变存储单元的可编程双电平转换器的实现方法，其特征在于，所述步骤二中，在所述电平转换电路（20）中，所述低压信号输入端（24）的逻辑信号为1时，所述NMOS晶体管（2）导通，所述NMOS晶体管（4）截止，所述PMOS晶体管（6）导通，所述PMOS晶体管（8）截止，所述输出端（30）输出低电平，所述输出端（32）输出高电平；所述低压信号输入端（24）的逻辑信号为0时，所述NMOS晶体管（2）截止，所述NMOS晶体管（4）导通，所述PMOS晶体管（6）截止，所述PMOS晶体管（8）导通，所述输出端（30）输出高电平，所述输出端（32）输出低电平。