[发明专利]发光结构有效

专利信息
申请号: 201110269318.6 申请日: 2011-09-13
公开(公告)号: CN102403330A 公开(公告)日: 2012-04-04
发明(设计)人: 沈建赋;陈昭兴;柯淙凯;洪详竣;许生杰;郭得山;王心盈;姚久琳;黄建富;刘欣茂;钟健凯 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15;H01L33/62
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光 结构
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种发光结构,尤其是涉及一种发光结构具有至少两个发光单元及用以连接此些发光单元的电性连接。

背景技术

发光二极管阵列电性串联或并联数个发光二极管。二极管间通过沟槽或槽孔达成电性分离。为了连接彼此分离的二极管可以使用金属线或薄膜跨越二极管间的沟槽。然而,由于沟槽的高深宽比(aspect ratio)使得金属线或薄膜在制造过程中易于损坏。

发明内容

为解决上述问题,本发明的一实施例揭露一种发光结构,其至少包含一第一单元、一第二单元、一沟槽介于第一单元及第二单元之间,并具有一第一侧壁及一较该第一侧壁陡峭的第二侧壁;及一电性连接设置于第一侧壁之上。

本发明的另一实施例揭露一种发光结构,其至少包含一第一单元、一第二单元、一沟槽介于第一单元及第二单元之间、及一电性连接。此电性连接具有一连接部及一桥接部。桥接部设置于沟槽上并较连接部宽。

本发明的又一实施例揭露一种发光结构,其至少包含一第一单元、一第二单元、一沟槽介于第一单元及第二单元之间、一绝缘层设置于沟槽之上并暴露出沟槽附近的部分第一单元、及一电性连接接触此沟槽附近的部分第一单元与第二单元。

附图说明

图1为本发明一实施例的剖视图,绘示两个发光结构单元的连接;

图2为本发明一实施例的发光结构单元的上视图;

图3为本发明一实施例的沟槽填充示意图;

图4为本发明一实施例的一位于沟槽上的电性连接的上视图;

图5为本发明另一实施例的电性连接的上视图,此电性连接位于一介于两个发光结构单元间的沟槽上方;

图6为本发明一实施例的剖视图,其绘示发光结构单元间的连接;

图7为本发明一实施例的数个发光结构单元的剖视图;

图8A~图8F为本发明一实施例的发光结构单元的制造示意图;及

图9为本发明一实施例的发光结构单元的剖视图。

主要元件符号说明

1      发光结构单元      22b    上方电性连接

2      发光结构单元      23     沟槽

3      发光结构单元      24     发光结构单元

4      发光结构单元      25     发光结构单元

10A    左发光结构单元    25a    桥接部

10B    右发光结构单元    25b    连接部

11A    下方层            26     发光结构单元

11B    下方层            27     下方层

12A    上方层            28     上方层

12B    上方层            29     平台区域

13A    发光接面          30     共同基板

13B    发光接面          31     发光区

14A    电流分散层        41     基板

14B    电流分散层        42     第一半导体层

15     沟槽              43     活性层

16     第一绝缘层        44     第二半导体层

17     第二绝缘层        45     凹部

18     电性连接          46     沟槽

19     保护层            47     绝缘层

20     电流网络          48     导电结构

21     绝缘层            49a    第一电极

22a    下方电性连接      49b    第二电极

具体实施方式

图1显示依据本发明一实施例的剖视图,绘示两个发光结构单元的连接。左发光结构单元10A及右发光结构单元10B分别包含一下方层(11A、11B)、一上方层(12A、12B)、一位于下方层(11A、11B)及上方层(12A、12B)间的发光接面(13A、13B)、及一电流分散层(14A、14B)。上述各层利用外延生长或接合技术依序形成于一基板(未显示)上,其中结合技术是如金属接合、扩散接合、胶体结合等。

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