[发明专利]发光结构有效
申请号: | 201110269318.6 | 申请日: | 2011-09-13 |
公开(公告)号: | CN102403330A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 沈建赋;陈昭兴;柯淙凯;洪详竣;许生杰;郭得山;王心盈;姚久琳;黄建富;刘欣茂;钟健凯 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 结构 | ||
技术领域
本发明涉及一种发光结构,尤其是涉及一种发光结构具有至少两个发光单元及用以连接此些发光单元的电性连接。
背景技术
发光二极管阵列电性串联或并联数个发光二极管。二极管间通过沟槽或槽孔达成电性分离。为了连接彼此分离的二极管可以使用金属线或薄膜跨越二极管间的沟槽。然而,由于沟槽的高深宽比(aspect ratio)使得金属线或薄膜在制造过程中易于损坏。
发明内容
为解决上述问题,本发明的一实施例揭露一种发光结构,其至少包含一第一单元、一第二单元、一沟槽介于第一单元及第二单元之间,并具有一第一侧壁及一较该第一侧壁陡峭的第二侧壁;及一电性连接设置于第一侧壁之上。
本发明的另一实施例揭露一种发光结构,其至少包含一第一单元、一第二单元、一沟槽介于第一单元及第二单元之间、及一电性连接。此电性连接具有一连接部及一桥接部。桥接部设置于沟槽上并较连接部宽。
本发明的又一实施例揭露一种发光结构,其至少包含一第一单元、一第二单元、一沟槽介于第一单元及第二单元之间、一绝缘层设置于沟槽之上并暴露出沟槽附近的部分第一单元、及一电性连接接触此沟槽附近的部分第一单元与第二单元。
附图说明
图1为本发明一实施例的剖视图,绘示两个发光结构单元的连接;
图2为本发明一实施例的发光结构单元的上视图;
图3为本发明一实施例的沟槽填充示意图;
图4为本发明一实施例的一位于沟槽上的电性连接的上视图;
图5为本发明另一实施例的电性连接的上视图,此电性连接位于一介于两个发光结构单元间的沟槽上方;
图6为本发明一实施例的剖视图,其绘示发光结构单元间的连接;
图7为本发明一实施例的数个发光结构单元的剖视图;
图8A~图8F为本发明一实施例的发光结构单元的制造示意图;及
图9为本发明一实施例的发光结构单元的剖视图。
主要元件符号说明
1 发光结构单元 22b 上方电性连接
2 发光结构单元 23 沟槽
3 发光结构单元 24 发光结构单元
4 发光结构单元 25 发光结构单元
10A 左发光结构单元 25a 桥接部
10B 右发光结构单元 25b 连接部
11A 下方层 26 发光结构单元
11B 下方层 27 下方层
12A 上方层 28 上方层
12B 上方层 29 平台区域
13A 发光接面 30 共同基板
13B 发光接面 31 发光区
14A 电流分散层 41 基板
14B 电流分散层 42 第一半导体层
15 沟槽 43 活性层
16 第一绝缘层 44 第二半导体层
17 第二绝缘层 45 凹部
18 电性连接 46 沟槽
19 保护层 47 绝缘层
20 电流网络 48 导电结构
21 绝缘层 49a 第一电极
22a 下方电性连接 49b 第二电极
具体实施方式
图1显示依据本发明一实施例的剖视图,绘示两个发光结构单元的连接。左发光结构单元10A及右发光结构单元10B分别包含一下方层(11A、11B)、一上方层(12A、12B)、一位于下方层(11A、11B)及上方层(12A、12B)间的发光接面(13A、13B)、及一电流分散层(14A、14B)。上述各层利用外延生长或接合技术依序形成于一基板(未显示)上,其中结合技术是如金属接合、扩散接合、胶体结合等。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的