[发明专利]从晶体材料的非极性平面形成的器件及其制作方法

权利要求书

1.一种二极管的制作方法，包括：

形成一第一包覆层，其中该第一包覆层包括一个或多个极性晶体材料的鳍，且其中该一个或多个鳍的主要面为非极性的；

在该主要面的一个或多个面上方形成一有源区；以及

形成相邻于该有源区的一第二包覆层。

2.一种二极管的制作方法，包括：

提供一极性半导体晶体材料的一第一包覆层，其包括其中形成有有一个或多个孔洞的一第一表面，其中该一个或多个孔洞的侧壁为该极性半导体晶体材料的非极性面；

提供相对于该第一表面的一第二包覆层；以及

提供一有源区，其设置于该第一包覆层与该第二包覆层之间，且该第二包覆层至少部分延伸至该一个或多个孔洞中。

3.一种二极管的制作方法，包括：

形成一第一二极管区；

形成相邻于该第一二极管区的一有源区；以及

形成相邻于该有源区的一第二二极管区，其中相邻于该有源区的该第一二极管区的呈非极性的一个或多个表面的面积大于该第一二极管区的呈极性的一个或多个表面的面积。

4.一种发光二极管的制作方法，包括：

提供一第一二极管区；

形成相邻于该第一二极管区的一有源二极管区；以及

形成相邻于该有源二极管区的一第二二极管区，其中至少一部分该有源二极管区和该第二二极管区对应于III-N半导体晶体材料的非极性平面。

5.一种发光二极管的制作方法，包括：

从一III-N半导体材料提供一底部二极管区；

从该III-N半导体材料形成相邻于该底部二极管区的一有源二极管区；以及

从该III-N半导体材料形成相邻于该有源二极管区的一顶部二极管区，其中该有源二极管区与该顶部二极管区相较于该底部二极管区具有较少的每单位面积的缺陷。

6.一种发光二极管的制作方法，包括：

提供一底部二极管材料；

在该底部二极管材料中形成一空隙；

在该空隙的一表面上形成一有源二极管区；以及

在该空隙中沉积一顶部二极管材料。

7.一种发光二极管的制作方法，包括：

从一III-N半导体材料提供一底部二极管区、有源二极管区以及顶部二极管区；以及

在该发光二极管中提供一非极性III-N半导体材料，以将一输出效率增加至超过一规定量。

8.一种发光二极管的制作方法，包括：

在一极性平面上提供一III-N半导体晶体层；

形成一底部二极管区，其中该底部二极管区包括至少一个第一表面和至少一个第二表面，且其中该至少一个第一表面对准该III-N半导体材料层的一非极性平面，该至少一个第二表面对准该III-N半导体材料层的一极性表面；

形成与该底部二极管区的至少一个该第一表面和至少一个该第二表面相邻的一有源二极管区；以及

形成与该有源二极管区相邻的一顶部二极管区。

9.一种发光二极管的制作方法，包括：

提供一III-N半导体材料的底部二极管区；

在III-N半导体材料的一非极性表面上形成相邻于底部二极管区的一有源二极管区；以及

形成相邻于该有源二极管区的一顶部二极管区。

10.一种发光二极管的制作方法，包括：

提供一第一二极管区；

形成相邻于该第一二极管区的一有源二极管区；以及

形成相邻于该有源二极管区的一第二二极管区，其中该有源二极管区的第一部分具有一第一光输出效率，该有源二极管区的第二部分具有一较低的第二光输出效率。

11.如权利要求1-10任意一项所述的制作方法，其中该有源区是对应于一非极性表面的III-N半导体材料。

12.如权利要求1-10任意一项所述的制作方法，其中该有源二极管区与该顶部二极管区的至少之一具有相较于该底部二极管区具有较多的线缺陷总数。

13.如权利要求1-10任意一项所述的制作方法，其中蓝光发光二极管中的光输出效率大于2倍、大于5倍、大于10倍或大于25倍。