[发明专利]一种纳米铜膜基铜纳米结构的制备方法

权利要求书

1.一种纳米铜膜基铜纳米结构的制备方法，步骤如下：

1)玻璃衬底的准备：取玻璃衬底置于有机溶剂中超声清洗，然后用去离子水反复冲洗，再将玻璃衬底正反两面残留的水分吹干，最后将玻璃衬底烘干，作为沉积纳米铜膜的衬底；

2)纳米铜膜的制备：先将准备好的玻璃衬底置于磁控溅射腔室中，装上高纯铜靶，抽高真空，然后通溅射气体并保持腔室气压一定，调节样品盘转速和溅射功率，移开挡板在室温下开始沉积铜膜，同时利用石英晶振膜厚仪对膜厚和沉积速率进行实时监控，沉积一定厚度的纳米铜膜；

3)纳米铜膜的退火处理：将上述沉积有纳米铜膜的玻璃衬底置于高真空退火炉中进行退火，通过改变退火时间来制备各种不同的纳米铜膜基铜纳米结构。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，所述玻璃衬底为显微镜载玻片，所述有机溶剂为酒精或丙酮，所述超声清洗的清洗时间在10min以上，所述将玻璃衬底正反两面残留的水分吹干指用电风扇以20°左右的掠射角将玻璃衬底正反两面残留的水分沿一个方向吹干，所述烘干指将玻璃衬底置于100℃的烘箱中烘烤15min。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，所述高纯铜靶是纯度为99.99％以上的铜靶，所述高真空是指腔室气压在10^-4Pa数量级或者甚至更低，所述溅射气体是流量为5～30sccm、纯度为99.99％以上的高纯Ar气，所述腔室气压为0.1～5Pa，所述样品盘转速为1～10r/min，所述溅射功率是直流100W，所述纳米铜膜厚度为20～40nm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，所述高真空是指腔室气压在10^-4Pa数量级或者甚至更低，所述退火是在400℃进行退火，退火时间为5～30min。