[发明专利]纯镁或镁合金表面羟基磷灰石涂层的脉冲电沉积制备方法有效
申请号: | 200910065998.2 | 申请日: | 2009-08-31 |
公开(公告)号: | CN101643929A | 公开(公告)日: | 2010-02-10 |
发明(设计)人: | 关绍康;王焕新;王利国;王项;朱世杰;任晨星 | 申请(专利权)人: | 郑州大学 |
主分类号: | C25D9/12 | 分类号: | C25D9/12;C25D5/18 |
代理公司: | 郑州联科专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 刘建芳 |
地址: | 450052河南省郑*** | 国省代码: | 河南;41 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 镁合金 表面 羟基 磷灰石 涂层 脉冲 沉积 制备 方法 | ||
1.纯镁或镁合金表面羟基磷灰石涂层的脉冲电沉积制备方法,其特征在于所述制备方法包括以下步骤:
(1)以纯镁或镁合金为基底材料,将其表面打磨、清洗干净,备用;
(2)配制电解液,所述电解液由含钙盐、含磷盐、支持电解质的水溶液组成:电解液中Ca2+浓度为2.0~42.0mmol·L-1,H2PO4-浓度为1.0~26.2mmol·L-1,Ca/P摩尔比为1.6~2.0,支持电解质浓度为0.1~1.0mol·L-1,室温电解液的pH值为4.0~6.0;
(3)以经步骤(1)处理好的纯镁或镁合金基底材料为阴极、石墨片为阳极,待电解液加热至50~90℃恒温时,将阴极与阳极同时完全浸入步骤(2)制备的电解液中,阴极与阳极间工作距离为2~10cm;
(4)通过控制沉积电流大小的单向或双向脉冲模式在基底材料表面进行电沉积:
其中,单向脉冲电沉积的参数为:正向峰值电流密度为1~40mA/cm2、脉冲频率10~2000Hz、占空比10~30%;双向脉冲电沉积的参数为:正向峰值电流密度为1~40mA/cm2、正向脉冲频率10~500Hz、正向占空比10~30%,反向峰值电流密度为2~80mA/cm2、反向脉冲频率250~2000Hz、反向占空比40~50%;所述单向或双向脉冲电参数设置时,对于每cm2的基底材料,其净电量应控制在0.1~8.0mA·h;
(5)经过5~60min沉积后,取出试样,用水冲洗干净,干燥,在基底材料表面即形成一层与其结合良好的羟基磷灰石涂层。
2.如权利要求1所述的纯镁或镁合金表面羟基磷灰石涂层的脉冲电沉积制备方法,其特征在于:步骤(2)中,所述电解液中含有浓度为2.0~210.0mmol·L-1的络合剂。
3.如权利要求2所述的纯镁或镁合金表面羟基磷灰石涂层的脉冲电沉积制备方法,其特征在于:所述络合剂为C6H5O73-,C6H5O73-源自柠檬酸C6H8O7、柠檬酸三钠Na3C6H5O7、柠檬酸三铵(NH4)3C6H5O7中的一种或其组合,并且C6H5O73-/Ca2+摩尔比为1~5。
4.如权利要求1~3之任意一项所述的纯镁或镁合金表面羟基磷灰石涂层的脉冲电沉积制备方法,其特征在于:所述Ca2+源自无水Ca(NO3)2、Ca(NO3)2·4H2O、Ca(CH3COO)2中的一种或其组合。
5.如权利要求1~3之任意一项所述的纯镁或镁合金表面羟基磷灰石涂层的脉冲电沉积制备方法,其特征在于:所述H2PO4-源自NH4H2PO4、NaH2PO4中的一种或其组合。
6.如权利要求1~3之任意一项所述的纯镁或镁合金表面羟基磷灰石涂层的脉冲电沉积制备方法,其特征在于:所述支持电解质为NaNO3、CH3COONa中的一种或其组合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于郑州大学,未经郑州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910065998.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:不滴拉液体壶
- 下一篇:一种结晶器表面激光熔覆的合金涂层及其制备方法