[发明专利]光掩模、光掩模制造方法以及光掩模缺陷修正方法

权利要求书

1.一种光掩模缺陷修正方法，其特征在于，

在上述光掩模上形成的第1转印图案中产生的图案缺陷中，仅对如下区域中的图案缺陷进行缺陷修正，所述区域是：进行使用上述光掩模对被转印体进行的转印、和与上述光掩模组合使用向同一被转印体转印第2转印图案的第2光掩模对上述被转印体进行的转印这两者时，在上述被转印体上第1转印图案所包含的图案中，通过第2转印图案的转印而不形成图案的区域之外的区域。

2.根据权利要求1所述的光掩模缺陷修正方法，其特征在于，

上述第1转印图案包含相移图案，该相移图案具有在透明基板上形成的挖刻部。

3.根据权利要求1所述的光掩模缺陷修正方法，其特征在于，

上述第1和第2转印图案中，其中一个转印图案消除由另一个转印图案在被转印体上形成的无用图案。

4.根据权利要求1所述的光掩模缺陷修正方法，其特征在于，

上述第1和第2转印图案中，其中一个转印图案对被转印体的转印提高另一个转印图案转印到被转印体上时的解像度。

5.根据权利要求1所述的光掩模缺陷修正方法，其特征在于，

上述第1和第2光掩模按照不同的曝光条件转印到上述被转印体上。

6.根据权利要求1所述的光掩模缺陷修正方法，其特征在于，

上述第1和第2转印图案分别是要在被转印体上形成的图案，是将超过了曝光机的解像极限的图案预先分离成曝光机的解像极限范围内的两个图案而形成的图案。

7.一种光掩模制造方法，其特征在于，

包含基于权利要求1至6中任意一项所述的光掩模缺陷修正方法的缺陷修正工序。

8.一种相移掩模的制造方法，该相移掩模在透明基板上具有分别实施了规定构图的遮光层以及移相器层，由此具有包含非相移透光部、相移部以及遮光部的相移掩模图案，该相移部相对于非相移透光部使曝光光的相位大致反转180°后透过，其特征在于，

该制造方法具有缺陷修正工序，该缺陷修正工序在对上述遮光层以及移相器层进行了构图后，对形成的相移掩模图案进行缺陷修正，

在上述缺陷修正工序中，确定上述相移掩模图案中的图案缺陷的位置，并且对于使用上述相移掩模进行上述相移掩模图案的转印的被转印体，参照该转印前或上述转印后进行转印的修整掩模的修整掩模图案的数据，在已确定位置的上述图案缺陷中，仅修正处于如下区域中的图案缺陷，即通过上述修整掩模图案的转印而不在上述被转印体上形成图案的区域之外的区域。

9.一种光掩模，其形成有第1转印图案，该光掩模的特征在于，

在上述第1转印图案中产生的图案缺陷中，仅对如下区域中的图案缺陷进行了缺陷修正，所述区域是：进行使用上述光掩模对被转印体进行的转印、和组合使用向同一被转印体转印第2转印图案的第2光掩模对上述被转印体进行的转印这两者时，在上述被转印体上第1转印图案所包含的图案中，通过第2转印图案的转印而不形成图案的区域之外的区域。

10.一种相移掩模，其形成有包含相移部的相移掩模图案，其特征在于，

在上述相移掩模图案中产生的图案缺陷中，仅对如下区域中的图案缺陷进行了缺陷修正，所述区域是：进行使用上述相移掩模将上述相移掩模图案转印到被转印体上、和与上述相移掩模组合使用向同一被转印体转印图案的第2掩模对上述被转印体进行的曝光这两者时，不在上述被转印体上形成图案的区域之外的区域。

11.一种光掩模组，其具有：相移掩模，其形成有包含相移部的相移掩模图案；和修整掩模，其针对使用该相移掩模进行上述相移掩模图案的转印的被转印体，在上述转印前或上述转印后进行转印，该光掩模组的特征在于，

把上述相移掩模的相移掩模图案和上述修整掩模上形成的修整图案重叠起来时，在将上述相移掩模图案的区域内与上述修整图案的透光部重叠的区域作为修整区域时，上述相移掩模中仅对上述修整区域之外的区域进行了缺陷修正。

12.一种图案转印方法，其特征在于，使用通过权利要求7所述的光掩模制造方法制造出的光掩模，向被转印体转印图案。

13.一种图案转印方法，其特征在于，使用通过权利要求8所述的相移掩模制造方法制造出的相移掩模，向被转印体转印图案。